棋盘式高电压垂直晶体管布局

摘要

本发明涉及棋盘式高电压垂直晶体管布局。在一个实施例中，将制造于半导体管芯上的晶体管布置成细长晶体管段的部分。所述部分基本跨越半导体管芯设置成行和列。行或列中的相邻部分被取向成使得所述相邻部分的第一个中的晶体管段的长度沿第一方向延伸，并且所述相邻部分的第二个中的晶体管段的长度沿第二方向延伸，所述第一方向基本正交于所述第二方向。要强调的是，提供该摘要是为了遵守需要摘要的规定以使得检索者或其他读者迅速确定本技术公开的主题。

主权项

一种晶体管，包括：半导体管芯；被组织成多个部分的多个晶体管段，所述部分基本跨越所述半导体管芯设置，每个部分基本为方形，每个晶体管段具有具有长度和宽度的跑道形状，每个晶体管段包括：包括延伸漏极区的柱，所述延伸漏极区通过所述半导体管芯沿垂直方向延伸；分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，所述第一介电区域由所述柱横向包围，并且所述第二介电区域横向包围所述柱；分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板；其中第一部分包括设置成并排关系且长度沿跨越所述半导体管芯的第一方向取向的晶体管段，以及第二部分包括设置成并排关系且长度沿基本与所述第一方向正交并且跨越所述半导体管芯的第二方向取向的晶体管段，所述第一部分与所述第二部分相邻设置。