发明名称 |
具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接 |
摘要 |
本发明所揭示的实施方式与已熔接在一起的一大型真空腔室主体有关。该腔室主体在其中至少一表面上具有一高发射率涂层。由于腔室主体的大型尺寸,腔室主体是通过将数个部件熔接在一起而形成,而非以单一金属部件来锻造该主体。这些部件在与该主体的弯处相隔的一位置处熔接在一起,该位置在排空期间为最大应力处,以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。该腔室主体的至少一表面可涂覆有一高发射率涂层以助于来自进入的受热基板的热传递。该高发射率涂层可通过减少降低基板温度所需时间而增加基板产量。 |
申请公布号 |
CN102217032A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN200980145539.3 |
申请日期 |
2009.11.09 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
栗田真一;梅兰·贝德亚特;稻川真 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种腔室主体,其包含多个部件,所述多个部件耦接在一起以共同形成具有含四个弯处的一内部表面的该腔室主体,该腔室主体包含:一第一部件,包含:一第一部分及延伸通过该第一部分的一第一开口,该第一部分具有大于一第一宽度的一第一长度;一第一凸缘,其在与该第一宽度实质垂直的一方向上自该第一部分延伸一第一距离,该第一凸缘自该四个弯处中的一第一弯处延伸;以及一第二凸缘,其在与该第一宽度实质垂直的一方向上自该第一部分延伸一第二距离,该第二凸缘自该四个弯处中的一第二弯处延伸;一第二部件,其耦接至该第一凸缘并在与该第一宽度实质垂直的一方向上延伸;一第三部件,其耦接至该第二凸缘并在与该第一宽度实质垂直且与该第二部件平行的一方向上延伸;以及一第四部件,其耦接至该第二部件与该第三部件,该第四部件包含:一第二部分及延伸通过该第二部分的一第二开口,该第二部分具有大于一第二宽度的一第二长度;一第三凸缘,其在与该第二宽度实质垂直的一方向上自该第二部分延伸一第三距离;以及一第四凸缘,其在与该第二宽度实质垂直的一方向上自该第二部分延伸一第四距离。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |