一种垂直交叉堆叠栅应变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构

摘要

本发明公开了一种新型垂直交叉堆叠栅应变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构，其技术方案在于该器件自上而下的结构为：四周具有环绕SiO2侧墙的栅氧化层/高k介质/多晶Si1-XGeX栅极的堆叠栅结构1；Si盖帽层2；Si1-x-yGexCy空穴量子阱层3；Si隔离层4；Si1-x′-y′Gex′Cy′电子量子阱层5；Si阻挡层6；N型Si调制掺杂层7；单晶Si(100)衬底8。该器件结构简单，除了层7为N型掺杂之外，其余各层均为本征或非故意掺杂；采用新型垂直交叉堆叠栅结构提高了小尺寸器件的集成度和可靠性；不需要生长较厚的虚拟SiGe衬底；应变SiGeC量子阱沟道在一定程度上突破了临界厚度的限制，可以进一步提高载流子的迁移率。

主权项

一种垂直交叉堆叠栅应变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构，其特征在于，该CMOS器件自上而下依次包括：垂直交叉堆叠栅结构；本征Si盖帽层；压应变的Si1‑x‑yGexCy空穴量子阱层；本征Si隔离层；张应变的Si1‑x′‑y′Gex′Cy′电子量子阱层；本征Si阻挡层；N型Siδ调制掺杂层；Si(100)衬底。