一种双极阻变存储器

摘要

本实用新型公开了一种双极阻变存储器，包括MgO单晶衬底，所述MgO单晶衬底上生长有一层TiN薄膜，所述TiN薄膜外延生长一层TiO2薄膜，所述TiO2薄膜表面镀有金属电极，金属电极作为器件的上电极，TiN薄膜作为器件的下电极。本实用新型双极阻变存储器水平方向的结构有利于大规模高密度集成应用；电极制作与阻变材料的生长有机结合使得器件的制备方法简单，同时也降低了其高密度集成的难度。本实用新型应用于电子存储产品。

主权项

一种双极阻变存储器，其特征在于：包括MgO单晶衬底（1），所述MgO单晶衬底（1）上设有一层TiN薄膜（2），所述TiN薄膜（2）外延设有一层TiO2薄膜（3），所述TiO2薄膜（3）表面镀有金属电极（4），金属电极（4）作为器件的上电极，TiN薄膜（2）作为器件的下电极。