制作互补型金属氧化物半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作互补型金属氧化物半导体器件(CMOS器件)的方法，所述CMOS器件包括具有张应力层的NMOS区域和具有压应力层的PMOS区域，所述方法包括：提供一个具有NMOS区域和PMOS区域的半导体器件，所述NMOS区域的上方形成具有掺杂剂的张应力层；在所述NMOS区域的具有掺杂剂的张应力层和PMOS区域的上方沉积压应力层；在所述压应力层上形成覆盖PMOS区域、暴露NMOS区域的光刻胶图层；以所述光刻胶图层为掩膜刻蚀NMOS区域的压应力层，在该压应力层的刻蚀过程中检测所述张应力层中的掺杂剂所给出的信号，当信号强度达到预定值时，停止刻蚀，以得到所述CMOS器件。采用本发明的方法不会在该张应力层上残余氧化层，简化了制备具有应力层的CMOS器件的步骤。

主权项

一种制作互补型金属氧化物半导体器件的方法，其中，所述互补型金属氧化物半导体器件包括具有张应力层的NMOS区域和具有压应力层的PMOS区域，所述方法包括：提供一个具有NMOS区域和PMOS区域的半导体器件，所述NMOS区域的上方形成有具有掺杂剂的张应力层；在所述NMOS区域的具有掺杂剂的张应力层上方和PMOS区域的上方沉积压应力层；在所述压应力层上形成覆盖PMOS区域、暴露NMOS区域的光刻胶图层；以所述光刻胶图层为掩膜刻蚀所述NMOS区域的压应力层，在该压应力层的刻蚀过程中检测所述张应力层中的掺杂剂所给出的信号，当所述信号强度达到预定值时，停止刻蚀，以得到所述互补型金属氧化物半导体器件。