| 主权项 |
一种半导体装置，其特征为具有：半导体基板，具有第1主面及第2主面；分立半导体之元件区域，设于前述半导体基板；第1电极和第2电极，设置于前述第1主面侧，且分别连接至前述元件区域；第1金属层，露出于前述第2主面侧；以及第2金属层，设置于前述第1金属层与前述半导体基板之前述第2主面之间；藉由于前述第1电极与前述第2电极施加电压，而具有从前述第1电极起经由前述半导体基板而流至前述第1金属层及前述第2金属层，沿着前述第1金属层及前述第2金属层流动，从前述第1金属层及前述第2金属层起经由前述半导体基板而流至前述第2电极的电流路径；并且前述第1金属层系为膜厚比前述第2金属层更厚的厚膜金属层。一种半导体装置，其特征为具有：半导体基板，具有第1主面及第2主面；分立半导体之元件区域，设于前述半导体基板；第1电极和第2电极，设置于前述第1主面侧，且分别连接至前述元件区域；第1金属层，露出于前述第2主面侧；第2金属层，设置于前述第1金属层与前述半导体基板之前述第2主面之间；以及第3金属层，设置于前述第2金属层与前述第1金属层之间；藉由于前述第1电极与前述第2电极施加电压，而具有从前述第1电极起经由前述半导体基板而流至前述第1金属层、前述第2金属层、及前述第3金属层，沿着前述第1金属层、前述第2金属层、及前述第3金属层流动，从前述第1金属层、前述第2金属层、及前述第3金属层起经由前述半导体基板而流至前述第2电极的电流路径；并且前述第3金属层系为膜厚比前述第1金属层更厚的厚膜金属层。如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置，其中，前述第1金属层系具有耐腐蚀性及耐氧化性。如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置，其中，前述第1金属层系为金。如申请专利范围第2项之半导体装置，其中，前述第3金属层系为铜。如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置，其中，前述厚膜金属层之厚度系为在前述厚膜金属层之厚度与前述电流路径之电阻值的相关关系中设为前述电阻值饱和的下限附近之膜厚。如申请专利范围第6项之半导体装置，其中，前述厚膜金属层之膜厚系为5000至20000。如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置，其中，于前述元件区域系设有场效电晶体、双极性电晶体或二极体之任一者。一种半导体装置，系于具有第1主面及第2主面的半导体基板设有分立半导体之元件区域者，其特征为：前述元件区域系具有以前述半导体基板之一部份为共通之汲极区域的第1绝缘闸极型半导体元件区域及第2绝缘闸极型半导体元件区域，且具有：第1源极电极和第2源极电极，设置于前述第1主面侧，且分别连接至前述第1绝缘闸极型半导体元件区域及第2绝缘闸极型半导体元件区域；第1金属层，露出于前述第2主面侧且具有耐腐蚀性及耐氧化性；以及第2金属层，设置于前述第1金属层与前述半导体基板之前述第2主面之间；藉由于前述第1源极电极与前述第2源极电极施加电压，而具有从前述第1源极电极起经由前述半导体基板而流至前述第1金属层及前述第2金属层，沿着前述第1金属层及前述第2金属层流动，从前述第1金属层及前述第2金属层起经由前述半导体基板而流至前述第2源极电极的电流路径；并且前述第1金属层系为膜厚比前述第2金属层更厚的厚膜金属层。一种半导体装置，系于具有第1主面及第2主面的半导体基板设有分立半导体之元件区域者，其特征为：前述元件区域系具有以前述半导体基板之一部份为共通之汲极区域的第1绝缘闸极型半导体元件区域及第2绝缘闸极型半导体元件区域，且具有：第1源极电极和第2源极电极，设置于前述第1主面侧，且分别连接至前述第1绝缘闸极型半导体元件区域及第2绝缘闸极型半导体元件区域；第1金属层，露出于前述第2主面侧且具有耐腐蚀性及耐氧化性；第2金属层，设置于前述第1金属层与前述半导体基板之前述第2主面之间；以及第3金属层，设置于前述第2金属层与前述第1金属层之间；藉由于前述第1源极电极与前述第2源极电极施加电压，而具有从前述第1源极电极起经由前述半导体基板而流至前述第1金属层、前述第2金属层、及前述第3金属层，沿着前述第1金属层、前述第2金属层、及前述第3金属层流动，从前述第1金属层、前述第2金属层、及前述第3金属层起经由前述半导体基板而流至前述第2源极电极的电流路径；并且前述第3金属层系为膜厚比前述第1金属层更厚的厚膜金属层。如申请专利范围第9项或第10项之半导体装置，其中，前述第1金属层系具有耐腐蚀性及耐氧化性。如申请专利范围第9项或第10项之半导体装置，其中，前述第1金属层系为金。如申请专利范围第10项之半导体装置，其中，前述第3金属层系为铜。 |
