| 主权项 |
一种化合物半导体元件之封装结构，包含：一薄型基板，具有一第一电极与一第二电极；一化合物半导体晶粒，位在该薄型基板上；一将该半导体晶粒固接于该薄型基板之手段；以及一透明胶材包覆该半导体晶粒；其中该薄型基板为具有图案之导电薄膜或是复合基板，又该复合基板包含一具有图案之第一导电层、一具有复数个透孔之绝缘薄膜以及一具有图案之第二导电层。根据请求项1之化合物半导体元件之封装结构，其中该半导体晶粒为发光二极体晶粒、雷射二极体或光感测晶粒。根据请求项2之化合物光电元件的封装结构，其中该将该半导体晶粒固接于该薄膜型基板之手段包含以打线接合或是覆晶接合方式将该半导体晶粒电性连接至该薄膜型基板。根据请求项3之化合物光电元件的封装结构，其中该半导体晶粒在打线接合时用固晶胶或是以共晶接合方式固定于该薄膜型基板。根据请求项1之化合物光电元件的封装结构，另包含光转换材料混合在该透明胶材内，其中该光转换材料为萤光粉。根据请求项5之化合物光电元件的封装结构，其中该透明胶材为环氧树脂(epoxy)或是矽氧烷(silicone)。根据请求项1之化合物光电元件的封装结构，另包含在透明封胶材料外包覆一反射层。一种化合物光电元件封装结构的制造方法，其步骤包含：提供一薄膜型基板，其具有一第一电极以及一第二电极；将一半导体晶粒固接于该薄膜型基板上，使得该半导体晶粒的正极电性连接至该第一电极，而该半导体晶粒的负极电性连接至该第二电极；以及将一透明胶材包覆该半导体晶粒。根据请求项8之化合物光电元件封装结构的制造方法，其中该薄型基板为具有图案之导电薄膜或是复合基板，其中该复合基板包含一具有图案之第一导电层，一具有复数个透孔之绝缘薄膜，以及一具有图案之第二导电层。根据请求项9之化合物光电元件封装结构的制造方法，其中该具有图案之导电薄膜系于一暂用基板上形成具有图案之导电薄膜，并且在该透明胶材包覆该半导体晶粒之后移除该暂用基板。根据请求项10之化合物光电元件封装结构的制造方法，其中该导电膜层系以印刷、网印、电铸、化镀或溅镀而形成于该暂用基板，而该暂用基板系藉由弯折、分离、蚀刻、雷射切割或研磨之方式而移除。根据请求项9之化合物光电元件封装结构的制造方法，其中该复合基板包含一第一具有图案之导电层、一具有复数个透孔之绝缘薄膜以及一第二具有图案之导电层。根据请求项12之化合物光电元件封装结构的制造方法，其中上述之复合基板形成方法包含：提供该具有复数个透孔之绝缘薄膜；将该具有图案之第一导电层与该具有图案之第二导电层施加于该具有复数个透孔之绝缘薄膜之相对两面，使得该具有图案之第一导电层与该具有图案之第二导电层之间透过该复数个透孔电性连接。根据请求项8、9、10、11、12或13之化合物光电元件封装结构的制造方法，其中该半导体晶粒为发光二极体晶粒、雷射二极体或是光感测晶粒。根据请求项8之光电元件封装结构的制造方法，其中该将该半导体晶粒固接于该薄膜型基板之步骤包含以打线接合或是覆晶接合方式将该半导体晶粒电性连接至该薄膜型基板。根据请求项15之光电元件封装结构的制造方法，其中该半导体晶粒在打线接合时用固晶胶或是以共晶接合方式固定于该薄膜型基板。根据请求项8、9、10、11、12、13、15或16之光电元件封装结构的制造方法，另包含光转换材料混合在该透明胶材内，其中该光转换材料为萤光粉。根据请求项8、9、10、11、12、13、15或16之光电元件封装结构的制造方法，其中该透明胶材为环氧树脂或是矽氧烷。根据请求项8、9、10、11、12、13、15或16之光电元件封装结构的制造方法，更包含在该透明封胶材料外包覆一反射层。一种化合物半导体元件之封装结构，包含：一具有图案之导电膜层，具有一第一表面及一第二表面，其中该第二表面系相对于该第一表面；一晶粒，固定于该导电膜层之第一表面；以及一透明封胶材料，覆盖于该导电膜层之第一表面及该晶粒。根据请求项20之化合物半导体元件之封装结构，其另包含至少一个金属导线，该金属导线电性连接该晶粒与该导电膜层。根据请求项20之化合物半导体元件之封装结构，其另包含复数个凸块，该复数个凸块电性连接该晶粒与该导电膜层。根据请求项20之化合物半导体元件之封装结构，其中该导电膜层之第二表面系露出于该透明封胶材料。根据请求项20之化合物半导体元件之封装结构，其中该导电膜层之材料系银、镍、铜、锡、铝或前述金属之合金。根据请求项20之化合物半导体元件之封装结构，其中该导电膜层之材料系铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)或铟钨氧化物(IWO)。根据请求项20之化合物半导体元件之封装结构，其中该导电膜层包含一N型电极及一P型电极。根据请求项20之化合物半导体元件之封装结构，其另包含混合于该透明封胶材料中之萤光体。根据请求项20之化合物半导体元件之封装结构，其中该晶粒系藉由一固晶胶或共晶接合而固定于该导电膜层之第一表面。根据请求项20之化合物光电元件的封装结构，另包含在透明封胶材料外包覆一反射层。一种化合物半导体元件封装结构之制造方法，包含下列步骤：提供一暂用基板；于该暂用基板表面形成一具图案之导电膜层，其中该导电膜层包含一第一表面及一相对于该第一表面之第二表面；固定一晶粒于该导电膜层之第一表面上；覆盖一透明封胶材料于该导电膜层之第一表面及该晶粒上；以及移除该暂用基板。根据请求项30之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其另包含利用焊线技术并藉由复数个金属导线使该晶粒与该导电膜层电性连接之步骤。根据请求项30之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其另包含利用覆晶技术并藉由复数个凸块使该晶粒与该导电膜层电性连接之步骤。根据请求项30之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其中该导电膜层系以印刷、网印、电铸、化镀或溅镀而形成于该暂用基板。根据请求项30之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其中该暂用基板系藉由弯折、分离、蚀刻、雷射切割或研磨之方式而移除。根据请求项30之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其中该导电膜层之第二表面系露出于该透明封胶材料。根据请求项30之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其中该导电膜层之材料系银、镍、铜、锡、铝或前述金属之合金。根据请求项30之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其中该导电膜层之材料系铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)或铟钨氧化物(IWO)。根据请求项30之化合物光电元件的封装结构，另包含在透明封胶材料外包覆一反射层。一种化合物半导体元件之封装结构，包含：一薄型基板，包含一上导电膜层、一具有复数个开口之绝缘膜层及一下导电膜层，其中该绝缘膜层系夹设于该上导电膜层及该下导电膜层之间；一晶粒，固定于该上导电膜层；以及一透明封胶材料，覆盖于该上导电膜层及该晶粒。根据请求项39之化合物半导体元件之封装结构，其中该上导电膜层及该下导电膜层分别包括一N型电极及一P型电极，该上导电膜层之N型电极及该下导电膜层之N型电极系藉由该复数个开口而接触，又该上导电膜层之P型电极及该下导电膜层之P型电极系藉由该复数个开口而接触。根据请求项39之化合物半导体元件之封装结构，其中该绝缘膜层之厚度为0.01mm~0.1mm。根据请求项39之化合物半导体元件之封装结构，其中该绝缘膜层之材料系聚亚醯胺及聚乙烯(PV)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或压克力。根据请求项39之化合物半导体元件之封装结构，其另包含至少一个金属导线，该金属导线电性连接该晶粒与该上导电膜层。根据请求项39之化合物半导体元件之封装结构，其另包含复数个凸块，该复数个凸块电性连接该晶粒与该上导电膜层。根据请求项39之化合物光电元件的封装结构，另包含在透明封胶材料外包覆一反射层。一种化合物半导体元件封装结构之制造方法，包含下列步骤：提供一具有复数个开口之绝缘膜层；分别形成一上导电膜层和一下导电膜层于该绝缘膜层之两个表面，其中该上导电膜层和该下导电膜层藉由该复数个开口而相互接触；固定一晶粒于该上导电膜层；以及覆盖一透明封胶材料于该上导电膜层及该晶粒上。根据请求项46之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其另包含下列步骤：形成该绝缘膜层于一板材上；以及于该绝缘膜层上形成该复数个开口。根据请求项47之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其中该绝缘膜层系藉由涂布、浸润或溶胶凝胶之方式于该板材上成型之一个薄膜。根据请求项47之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其中该复数个开口系利用机械钻孔、雷射钻孔或电浆蚀刻形成于该绝缘膜层。根据请求项47之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其中该上导电膜层和该下导电膜层系藉由电镀、印刷或铜箔压合之方式而形成于该绝缘膜层之表面。根据请求项46之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其中该上导电膜层及该下导电膜层分别包括一N型电极及一P型电极，该上导电膜层之N型电极及该下导电膜层之N型电极系藉由该复数个开口而接触，又该上导电膜层之P型电极及该下导电膜层之P型电极系藉由该复数个开口而接触。根据请求项46之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其另包含利用焊线技术并藉由复数个金属导线使该晶粒与该上导电膜层电性连接之步骤。根据请求项46之化合物半导体元件封装结构之制造方法，其另包含利用覆晶技术并藉由复数个凸块使该晶粒与该上导电膜层电性连接之步骤。根据请求项46之化合物光电元件的封装结构，另包含在透明封胶材料外包覆一反射层。一种用于发光二极体之薄型基板之制造方法，包含下列步骤：提供一暂用基板；于该暂用基板表面形成一具图案之导电膜层，其中该导电膜层包含一第一表面及一相对于该第一表面之第二表面；以及在完成发光二极体之封装后移除该暂用基板。一种用于发光二极体之薄型基板之制造方法，包含下列步骤：提供一具有复数个透孔之绝缘薄膜；以及将一具有图案之第一导电层与一具有图案之第二导电层施加于该具有复数个透孔之绝缘薄膜之相对两面，使得该具有图案之第一导电层与该具有图案之第二导电层之间透过该复数个透孔电性连接。 |
