发明名称 | 用于在等离子处理室内防止等离子不受限制事件的方法 | ||
摘要 | 提供了防止在受限等离子保持区域之外发生的基板处理过程中的等离子不受限事件的配置等离子处理室的方法。提供了由围绕电极底部的一组限制环限定的等离子保持区域。该方法包括测定处理过程中等离子处理室内生成的等离子的最差情况德拜长度。该方法还包括执行调节任意对相邻限制环之间的间隙和增加至少一个额外的限制环的至少一个以确保任意对相邻限制环之间的间隙小于该最差情况德拜长度。 | ||
申请公布号 | CN102142349A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
申请号 | CN201010624669.X | 申请日期 | 2007.06.08 |
申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 安德烈亚斯·菲舍尔;拉金德尔·德辛德萨 |
分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
主权项 | 用于防止在受限等离子保持区域之外发生的基板处理过程中的等离子不受限事件的配置等离子处理室的方法,其中所述受限等离子区域由围绕电极底部的一组限制环所限定,所述方法包括:确定所述处理过程中所述等离子处理室内生成的等离子的最差情况德拜长度;和执行调节任意对相邻限制环之间的间隙和增加至少一个额外的限制环中的至少一个以确保任意对所述相邻限制环之间的间隙小于所述最差情况德拜长度。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |