移除晶圆后侧聚合物和移除晶圆前侧光刻胶的工艺

摘要

本发明提供了一种用于从工件后侧移除聚合物和/或从工件前侧移除光刻胶的工艺。对于后侧聚合物移除，晶圆位于顶部附近和具有贯穿腔室侧壁的侧面出口的局部或远程等离子体源之上，并且通过旋转工件同时使等离子体副产物从侧面出口流动到晶圆后侧来移除后侧聚合物。对于前侧光刻胶移除，晶圆位于远离顶部和局部等离子体源的侧面出口之下，并且通过旋转工件同时使等离子体副产物从侧面出口流动到晶圆前侧来移除前侧光刻胶。

主权项

一种用于从工件后侧移除聚合物的工艺，包括：在真空腔室中在工件后侧支撑所述工件，同时使工件后侧的至少外围环形部分暴露，所述支撑限定包含工件前侧的所述腔室的上部工艺区以及包含工件后侧的所述腔室的下部工艺区；提供与腔室的侧壁相邻并具有耦接到所述腔室内部的输出端口的局部等离子体源；通过将所述工件保持在较小的工件到顶部间隙的所述腔室中的第一位置，而在所述局部等离子体源的所述输出端口的水平线之上限制所述工件的前侧，当所述工件位于所述第一位置时，所述局部等离子体源的所述输出端口与所述下部工艺区相对；以及从所述工件的后侧移除聚合物，所述从所述工件的后侧移除聚合物包括在局部等离子体源中产生包含聚合物蚀刻物种的等离子体，以及使等离子体副产物流动、漂流或扩散通过所述输出端口直至所述下部工艺区内。