| 发明名称 | 沉积膜形成装置及沉积膜形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。为了对例如Si系膜的高速且高品质的制膜，本发明一方式所涉及的沉积膜形成装置具有：腔室；位于腔室内的第一电极；第二电极，按照与第一电极隔开规定间隔的方式位于腔室内，并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。 | ||
| 申请公布号 | CN102099505A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200980128302.4 | 申请日期 | 2009.07.29 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 新乐浩一郎;伊藤宪和;稻叶真一郎;松居宏史 |
| 分类号 | C23C16/50(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种沉积膜形成装置，具有：腔室；第一电极，其位于所述腔室内；以及第二电极，其按照与所述第一电极隔开规定间隔的方式位于所述腔室内，并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比所述第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||