P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管

摘要

一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。

主权项

一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有超结结构及N型体区(2)，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区(11)和N型区(12)构成，在N型体区(2)上方设有P型源区(4)、N型体接触区(5)及栅氧化层(3)，在超结结构的上方设有P型漏区(14)，在超结结构上方，且位于P型漏区(14)以外的区域设有第一型场氧化层(10)，在栅氧化层(3)上方设有多晶硅栅(6)，在P型源区(4)、N型体接触区(5)、P型漏区(14)、多晶硅栅(6)和第一型场氧化层(10)上方设有第二型场氧化层(8)，P型源区(4)、P型漏区(14)、N型体接触区(5)及多晶硅栅(6)均接有穿通第二型场氧化层(8)的金属引线，其特征在于在N型衬底(1)内设有P型缓冲区(15)，P型缓冲区(15)位于超结结构中N型区(12)的下方，且与超结结构中N型区(12)底部相接。