| 发明名称 | EEPROM器件制备中ONO层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种EEPROM器件制备中ONO层的制备方法，该EEPROM器件包含外围电路和EEPROM单元，在EEPROM器件中的EEPROM单元栅氧刻蚀中，保留外围电路处的EEPROM单元栅氧；而在ONO层淀积之后的刻蚀工艺中，先采用干法刻蚀工艺，去除外围电路和EEPROM单元上的第二层氧化物、中间氮化物、第一层氧化物和部分EEPROM单元栅氧，而后采用湿法腐蚀工艺去除剩余的EEPROM单元栅氧。采用本发明的制备方法，仅有一次干刻和一次湿刻，有效的降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102097309A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200910201942.5 | 申请日期 | 2009.12.15 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 孙庭辉;徐丹;左燕丽 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 张骥 |
| 主权项 | 一种EEPROM器件制备中ONO层的制备方法，所述EEPROM器件包含外围电路和EEPROM单元，其特征在于：在所述EEPROM器件中的EEPROM单元栅氧刻蚀中，保留外围电路处的EEPROM单元栅氧；而在ONO层淀积之后的刻蚀工艺中，先采用干法刻蚀工艺，去除所述外围电路和EEPROM单元上的第二层氧化物、中间氮化物、第一层氧化物和部分所述EEPROM单元栅氧，而后采用湿法腐蚀工艺去除剩余的所述EEPROM单元栅氧。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||