发明名称 防护装置部件的应力缓冲
摘要 公开了一种防护装置部件的应力缓冲,特别是旨在设置于邻接半导体衬底的面的应力缓冲结构。该应力缓冲结构包括形成在半导体衬底的面上的至少一个聚合物层以及设置在聚合物层上方的多个金属板,其中所述金属板与半导体衬底的连接垫在物理上和电学上隔离。所公开的应力缓冲结构为对应力敏感的半导体零件提供防护。还公开了具有所公开的应力缓冲结构的半导体封装以及制备半导体封装的方法。
申请公布号 CN102097396A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN201010569687.2 申请日期 2010.10.08
申请人 宇芯先进技术有限公司 发明人 刘颂初;林美妮;司徒赛玉;梁伟南
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;C08L45/00(2006.01)I;C08L79/04(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 李帆
主权项 旨在设置于邻接半导体衬底的面的应力缓冲结构,包括:具有至少第一侧的第一聚合物层,该第一侧与形成在所述半导体衬底上的至少一部分的钝化层接触,所述半导体衬底在所述相同面上具有一个或多个连接垫;具有第一侧的第二聚合物层,该第一侧与所述第一聚合物层的相对的第二侧接触;以及金属板,其与所述第二聚合物层的相对的第二侧接触;其中所述金属板具有一个或多个金属层,并与所述半导体衬底的所述连接垫在物理上和电学上隔离。
地址 马来西亚吉隆坡