| 发明名称 | 移除光致抗蚀剂的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种移除光致抗蚀剂的方法。首先，提供基材，其包含图案化光致抗蚀剂。其次，对基材进行离子注入步骤。然后，对基材进行非氧化性前处理，其中非氧化性前处理提供包含氢气、载气与等离子体的处理条件。继续，对基材进行光致抗蚀剂剥除步骤，以完全移除光致抗蚀剂。本发明既能够顺利移除光致抗蚀剂材料层，又能够同时兼顾到基材上多晶硅线路的完整性。 | ||
| 申请公布号 | CN102043355A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910207008.4 | 申请日期 | 2009.10.23 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 简金城;杨建伦;叶秋显;许哲华;李志成;徐韶华;陈正国;陈信琦;王志坚 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种移除光致抗蚀剂的方法，包含：提供基材，其包含图案化光致抗蚀剂；对该基材进行离子注入步骤；对该基材进行非氧化性前处理，其中该非氧化性前处理提供包含氢气、载气与等离子体的处理条件；以及对该基材进行光致抗蚀剂剥除步骤，以完全移除该图案化光致抗蚀剂。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||