发明名称 发光元件以及具有该元件的发光系统
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.05.01
申请号 TW096111579 申请日期 2007.04.02
申请人 首尔半导体股份有限公司 发明人 李贞勋;罗夫 冈朵拉;涂斯 瓦特
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种发光元件,包含:用于发出具有6000 K或更高之高色温之日光的第一发光部分;以及用于发出具有3000 K或更低之色温之暖白光的第二发光部分,其中所述第一发光部分及所述第二发光部分中之每一者包含发光二极体晶片及磷光体,且所述第一发光部分与所述第二发光部分是独立驱动的。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中所述磷光体由如下化学式1表达:<化学式1>a(MIO).b(MⅡ2O).c(MⅡX).dAl2O3.e(MⅢO).f(MⅣ2O3).g(MVoOp).h(MⅥxOy)其中金属MI为选自Pb、Cu之族群中的一或多个元素,其中金属MⅡ为选自族群Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag中的一或多个单价元素,MⅢ包括由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd及Mn所构成之族群中选出的至少一者,MⅣ包括由Sc、B、Ga及In所构成之族群中选出的至少一者,MV包括由Si、Ge、Ti、Zr、Mn、V、Nb、Ta、W及Mo所构成之族群中选出的至少一者,MⅥ包括由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所构成之族群中选出的至少一者,X包括由F、Cl、Br及I所构成之族群中选出的至少一者,0<a@sIMGCHAR!d10259.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10260.TIF@eIMG!b@sIMGCHAR!d10261.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10262.TIF@eIMG!c@sIMGCHAR!d10263.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10264.TIF@eIMG!d@sIMGCHAR!d10265.TIF@eIMG!8,0<e@sIMGCHAR!d10266.TIF@eIMG!4,0@sIMGCHAR!d10267.TIF@eIMG!3,0@sIMGCHAR!d10268.TIF@eIMG!g@sIMGCHAR!d10269.TIF@eIMG!8,1@sIMGCHAR!d10270.TIF@eIMG!o@sIMGCHAR!d10271.TIF@eIMG!2,1@sIMGCHAR!d10272.TIF@eIMG!p@sIMGCHAR!d10273.TIF@eIMG!5,0@sIMGCHAR!d10274.TIF@eIMG!h@sIMGCHAR!d10275.TIF@eIMG!2,1@sIMGCHAR!d10276.TIF@eIMG!x@sIMGCHAR!d10277.TIF@eIMG!2且1@sIMGCHAR!d10278.TIF@eIMG!y@sIMGCHAR!d10279.TIF@eIMG!5。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中所述磷光体由如下化学式2表达:<化学式2>a(MIO).b(MⅡ2O).c(MⅢX).4-a-b-c(MⅢO).7(Al2O3).d(B2O3).e(Ga2O3).f(SiO2).g(GeO2).h(MⅣxOy)其中MI包括由Pb及Cu所构成之族群中选出的至少一者,MⅡ包括由Li、Na、K、Rb、Cs、Au及Ag所构成之族群中选出的至少一者,MⅢ包括由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn所构成之族群中选出的至少一者,MⅣ包括由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、In、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所构成之族群中选出的至少一者,X包括由F、Cl、Br及I所构成之族群中选出的至少一者,0<a@sIMGCHAR!d10280.TIF@eIMG!4,0@sIMGCHAR!d10281.TIF@eIMG!b@sIMGCHAR!d10282.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10283.TIF@eIMG!c@sIMGCHAR!d10284.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10285.TIF@eIMG!d@sIMGCHAR!d10286.TIF@eIMG!1,0@sIMGCHAR!d10287.TIF@eIMG!e@sIMGCHAR!d10288.TIF@eIMG!1,0@sIMGCHAR!d10289.TIF@eIMG!1,0@sIMGCHAR!d10290.TIF@eIMG!g@sIMGCHAR!d10291.TIF@eIMG!1,0<h@sIMGCHAR!d10292.TIF@eIMG!0.5,1@sIMGCHAR!d10293.TIF@eIMG!x@sIMGCHAR!d10294.TIF@eIMG!2且1@sIMGCHAR!d10295.TIF@eIMG!y@sIMGCHAR!d10296.TIF@eIMG!5。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中所述磷光体由如下化学式3表达:<化学式3>a(MIO).b(MⅡO).c(Al2O3).d(MⅢ2O3).e(MⅣO2).f(MVxOy)其中MI包括由Pb及Cu所构成之族群中选出的至少一者,MⅡ包括由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd及Mn所构成之族群中选出的至少一者,MⅢ包括由B、Ga及In所构成之族群中选出的至少一者,MⅣ包括由Si、Ge、Ti、Zr及Hf所构成之族群中选出的至少一者,MV包括由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所构成之族群中选出的至少一者,0<a@sIMGCHAR!d10297.TIF@eIMG!1,0@sIMGCHAR!d10298.TIF@eIMG!b@sIMGCHAR!d10299.TIF@eIMG!2,0<c@sIMGCHAR!d10300.TIF@eIMG!8,0@sIMGCHAR!d10301.TIF@eIMG!d@sIMGCHAR!d10302.TIF@eIMG!1,0@sIMGCHAR!d10303.TIF@eIMG!e@sIMGCHAR!d10304.TIF@eIMG!1,0<@sIMGCHAR!d10305.TIF@eIMG!2,1@sIMGCHAR!d10306.TIF@eIMG!x@sIMGCHAR!d10307.TIF@eIMG!2且1@sIMGCHAR!d10308.TIF@eIMG!y@sIMGCHAR!d10309.TIF@eIMG!5。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中所述磷光体由如下化学式4表达:<化学式4>a(MIO).b(MⅡO).c(MⅢX).d(MⅢ2O).e(MⅣ2O3).f(MVoOp).g(SiO2).h(MⅥxOy)其中MI包括由Pb及Cu所构成之族群中选出的至少一者,MⅡ包括由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd及Mn所构成之族群中选出的至少一者,MⅢ包括由Li、Na、K、Rb、Cs、Au及Ag所构成之族群中选出的至少一者,MⅣ包括由Al、Ga、In及B所构成之族群中选出的至少一者,MV包括由Ge、V、Nb、Ta、W、Mo、Ti、Zr、Hf及P所构成之族群中选出的至少一者,MⅥ包括由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所构成之族群中选出的至少一者,X包括由F、Cl、Br及I所构成之族群中选出的至少一者,0<a@sIMGCHAR!d10310.TIF@eIMG!2,0<b@sIMGCHAR!d10311.TIF@eIMG!8,0@sIMGCHAR!d10312.TIF@eIMG!c@sIMGCHAR!d10313.TIF@eIMG!4,0@sIMGCHAR!d10314.TIF@eIMG!d@sIMGCHAR!d10315.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10316.TIF@eIMG!e@sIMGCHAR!d10317.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10318.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10319.TIF@eIMG!g@sIMGCHAR!d10320.TIF@eIMG!10,0<h@sIMGCHAR!d10321.TIF@eIMG!5,1@sIMGCHAR!d10322.TIF@eIMG!o@sIMGCHAR!d10323.TIF@eIMG!2,1@sIMGCHAR!d10324.TIF@eIMG!p@sIMGCHAR!d10325.TIF@eIMG!5,1@sIMGCHAR!d10326.TIF@eIMG!x@sIMGCHAR!d10327.TIF@eIMG!2且1@sIMGCHAR!d10328.TIF@eIMG!y@sIMGCHAR!d10329.TIF@eIMG!5。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中所述磷光体由如下化学式5表达:<化学式5>a(MIO).b(MⅡ2O).c(MⅡX).d(Sb2O5).e(MⅢO).f(MⅣxOy)其中MI包括由Pb及Cu所构成之族群中选出的至少一者,MⅡ包括由Li、Na、K、Rb、Cs、Au及Ag所构成之族群中选出的至少一者,MⅢ包括由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd及Mn所构成之族群中选出的至少一者,MⅣ包括由Bi、Sn、Sc、Y、La、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy及Gd所构成之族群中选出的至少一者,X包括由F、Cl、Br及I所构成之族群中选出的至少一者,0<a@sIMGCHAR!d10330.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10331.TIF@eIMG!b@sIMGCHAR!d10332.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10333.TIF@eIMG!c@sIMGCHAR!d10334.TIF@eIMG!4,0<d@sIMGCHAR!d10335.TIF@eIMG!8,0@sIMGCHAR!d10336.TIF@eIMG!e@sIMGCHAR!d10337.TIF@eIMG!8,0@sIMGCHAR!d10338.TIF@eIMG!2,1@sIMGCHAR!d10339.TIF@eIMG!x@sIMGCHAR!d10340.TIF@eIMG!2且1@sIMGCHAR!d10341.TIF@eIMG!y@sIMGCHAR!d10342.TIF@eIMG!5。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中所述磷光体由如下化学式6表达:<化学式6>a(MIO).b(MⅡ2O).c(MⅡX).dGeO2.e(MⅢO).f(MⅣ2O3).g(MVoOp).h(MⅥxOy)其中MI包括由Pb及Cu所构成之族群中选出的至少一者,MⅡ包括由Li、Na、K、Rb、Cs、Au及Ag所构成之族群中选出的至少一者,MⅢ包括由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn及Cd所构成之族群中选出的至少一者,MⅣ包括由Sc、Y、B、Al、Ga、In及La所构成之族群中选出的至少一者,MV包括由Si、Ti、Zr、Mn、V、Nb、Ta、W及Mo所构成之族群中选出的至少一者,MⅥ包括由Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd及Dy所构成之族群中选出的至少一者,X包括由F、Cl、Br及I所构成之族群中选出的至少一者,0<a@sIMGCHAR!d10343.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10344.TIF@eIMG!b@sIMGCHAR!d10345.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10346.TIF@eIMG!c@sIMGCHAR!d10347.TIF@eIMG!10,0<d@sIMGCHAR!d10348.TIF@eIMG!10,0@sIMGCHAR!d10349.TIF@eIMG!e@sIMGCHAR!d10350.TIF@eIMG!14,0@sIMGCHAR!d10351.TIF@eIMG!14,0@sIMGCHAR!d10352.TIF@eIMG!g@sIMGCHAR!d10353.TIF@eIMG!10,0@sIMGCHAR!d10354.TIF@eIMG!h@sIMGCHAR!d10355.TIF@eIMG!2,1@sIMGCHAR!d10356.TIF@eIMG!o@sIMGCHAR!d10357.TIF@eIMG!2,1@sIMGCHAR!d10358.TIF@eIMG!p@sIMGCHAR!d10359.TIF@eIMG!5,1@sIMGCHAR!d10360.TIF@eIMG!x@sIMGCHAR!d10361.TIF@eIMG!2且1@sIMGCHAR!d10362.TIF@eIMG!y@sIMGCHAR!d10363.TIF@eIMG!5。如申请专利范围第1项所述之发光元件,其中所述磷光体由如下化学式7表达:<化学式7>a(MIO).b(MⅡ2O).c(MⅡX).dP2O5.e(MⅢO).f(MⅣ2O3).g(MVO2).h(MⅥxOy)其中MI包括由Pb及Cu所构成之族群中选出的至少一者,MⅡ包括由Li、Na、K、Rb、Cs、Au及Ag所构成之族群中选出的至少一者,MⅢ包括由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd及Mn所构成之族群中选出的至少一者,MⅣ包括由Sc、Y、B、Al、La、Ga及In所构成之族群中选出的至少一者,MV包括由Si、Ge、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W及Mo所构成之族群中选出的至少一者,MⅥ包括由Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Ce及Tb所构成之族群中选出的至少一者,X包括由F、Cl、Br及I所构成之族群中选出的至少一者,0<a@sIMGCHAR!d10364.TIF@eIMG!2,0@sIMGCHAR!d10365.TIF@eIMG!b@sIMGCHAR!d10366.TIF@eIMG!12,0@sIMGCHAR!d10367.TIF@eIMG!c@sIMGCHAR!d10368.TIF@eIMG!16,0<d@sIMGCHAR!d10369.TIF@eIMG!3,0@sIMGCHAR!d10370.TIF@eIMG!e@sIMGCHAR!d10371.TIF@eIMG!5,0@sIMGCHAR!d10372.TIF@eIMG!3,0@sIMGCHAR!d10373.TIF@eIMG!g@sIMGCHAR!d10374.TIF@eIMG!2,1@sIMGCHAR!d10375.TIF@eIMG!x@sIMGCHAR!d10376.TIF@eIMG!2且1@sIMGCHAR!d10377.TIF@eIMG!y@sIMGCHAR!d10378.TIF@eIMG!5。如申请专利范围第1至8项中任一项所述之发光元件,其中存在一个或多个所述磷光体。如申请专利范围第1至8项中任一项所述之发光元件,其中所述发光二极体晶片发出蓝光或UV光。如申请专利范围第1至8项中任一项所述之发光元件,更包含用于控制施加至所述第一发光部分及所述第二发光部分中之至少任一者之电压的控制器。如申请专利范围第11项所述之发光元件,其中所述控制器相对于时间来控制自外部输入之所述电压,且将所述电压施加至所述第一发光部分及所述第二发光部分中之至少任一者。如申请专利范围第12项所述之发光元件,其中所述控制器以24小时周期来升高及降低所述电压,且将所述电压施加至所述第一发光部分及所述第二发光部分中之至少任一者。如申请专利范围第1至8项中任一项所述之发光元件,其中所述第一发光部分与所述第二发光部分形成于一个封装中。如申请专利范围第14项所述之发光元件,更包含:基板,其中所述第一发光部分及所述第二发光部分之所述发光二极体晶片安装于所述基板上,且所述第一发光部分及所述第二发光部分之所述磷光体安置于所述发光二极体晶片上。如申请专利范围第14项所述之发光元件,更包含:用于散出自所述发光二极体晶片产生之热的散热片,其中所述第一发光部分及所述第二发光部分之所述发光二极体晶片安装于所述散热片上,且所述第一发光部分及所述第二发光部分之所述磷光体安置于所述发光二极体晶片上。如申请专利范围第15项所述之发光元件,其中凹槽形成于所述基板中,且所述第一发光部分及所述第二发光部分形成于所述凹槽之下部上。如申请专利范围第17项所述之发光元件,其中所述凹槽包含多个凹槽,每一所述凹槽相互分开而定位,且所述第一发光部分或所述第二发光部分形成于每一所述凹槽之下部上。如申请专利范围第18项所述之发光元件,更包含:共同密封所述第一发光部分及所述第二发光部分的封装胶体。一种发光元件,包含:用于发出具有相对较高色温之第一白光的第一发光部分;以及用于发出具有相对较低色温之第二白光的第二发光部分,其中所述第一发光部分与所述第二发光部分是独立驱动的。一种发光系统,包含:底板;以及安置于所述底板上的多个发光元件,其中每一所述发光元件包含用于发出具有6000 K或更高之高色温之日光的第一发光部分以及用于发出具有3000 K或更低之色温之暖白光的第二发光部分,其中所述第一发光部分及所述第二发光部分中之每一者包含发光二极体晶片及磷光体,且所述第一发光部分与所述第二发光部分是独立驱动的。一种发光系统,包含:底板;以及安置于所述底板上的至少一个或多个第一发光元件及至少一个或多个第二发光元件,其中所述第一发光元件包含用于发出具有6000 K或更高之高色温之日光的第一发光部分,且所述第二发光元件包含用于发出具有3000 K或更低之色温之暖白光的第二发光部分,其中所述第一发光部分及所述第二发光部分中之每一者包含发光二极体晶片及磷光体,且所述第一发光部分与所述第二发光部分是独立驱动的。如申请专利范围第22项所述之发光系统,其中所述第一发光元件与所述第二发光元件相邻地且重复地安置。如申请专利范围第22项所述之发光系统,其中所述第一发光元件安置于所述底板之第一区域中,且所述第二发光元件安置于所述底板之第二区域中。
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