| 发明名称 | 电容器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种电容器及其形成方法。其中电容器的形成方法，包括：在半导体衬底上形成下电极；在下电极上依次形成绝缘介质层、上电极和光刻胶层，所述光刻胶层中具有通孔图形；以光刻胶层为掩膜，沿通孔图形刻蚀上电极和绝缘介质层至露出下电极，形成通孔；去除光刻胶层后，刻蚀上电极、绝缘介质层和下电极，形成电容器。本发明降低了绝缘介质层的介电常数，降低了电容值。 | ||
| 申请公布号 | CN102034686A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200910175077.1 | 申请日期 | 2009.09.27 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 王乐 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种电容器的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成下电极；在下电极上依次形成绝缘介质层、上电极和光刻胶层，所述光刻胶层中具有通孔图形；以光刻胶层为掩膜，沿通孔图形刻蚀上电极和绝缘介质层至露出下电极，形成通孔；去除光刻胶层后，刻蚀上电极、绝缘介质层和下电极，形成电容器。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||