| 发明名称 | 纳米结构体的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种在铬酸等的环境中不使用非优选物质，在短时间内，能够得到具有规律排列的凹坑的纳米结构体的制造方法。该纳米结构体的制造方法包括：通过将具有铝基板和在上述铝基板表面上存在的阳极氧化被膜的铝部件作为阴极实施电解来使上述阳极氧化被膜和上述铝基板剥离，得到由阳极氧化被膜构成的结构体的剥离工序；其中，在上述剥离工序中，按照使电流流过上述阳极氧化被膜的表面的方式实施上述电解。 | ||
| 申请公布号 | CN101074486B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200710092363.2 | 申请日期 | 2007.02.28 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 富田忠文;铃木信也 |
| 分类号 | C25D11/04(2006.01)I;C25D11/08(2006.01)I;C25F5/00(2006.01)I | 主分类号 | C25D11/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种结构体的制造方法，包括：通过将具有铝基板和在上述铝基板表面上存在的阳极氧化被膜的铝部件作为阴极实施电解，使上述阳极氧化被膜和上述铝基板剥离，得到由阳极氧化被膜构成的结构体的剥离工序；其中，在上述剥离工序中，按照使电流流过上述阳极氧化被膜的表面的方式实施上述电解。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||