| 摘要 |
Полупроводниковая метаморфная наногетероструктура InAlAs/InGaAs, включающая монокристаллическую полуизолирующую подложку GaAs, метаморфный буфер InxAl1-xAs с линейным увеличением содержания InAs x по толщине (x=x1→x4, где x1~0), инверсный слой InxAl1-xAs с уменьшением содержания InAs x по толщине (x=x4→x4', где x4'-x4=0,05÷0,10), залечивающий слой с однородным составом Inx4'Al1-x4'As и активную область InAlAs/InGaAs с высоким содержанием InAs, согласованную по параметру решетки с залечивающим слоем, отличающаяся тем, что на монокристаллической полуизолирующей подложке GaAs ниже метаморфного буфера формируется сверхрешетка Al0,4Ga0,6As/GaAs, уменьшение содержания InAs x по толщине в инверсном слое может быть либо скачкообразным, либо плавным, внутрь метаморфного буфера вводятся две механически напряженных сверхрешетки In(x2+Δx)Al1-(x2+Δx)As/In(x2-Δx)Ga1-(x2-Δx)As и ! In(x3+Δx)Al1-(x3+Δx)As/In(x3-Δx)Ga1-(x3-Δx)As, симметрично рассогласованные на Δx=0,05÷0,10 относительно текущего состава метаморфного буфера в данных точках, которые делят метаморфный буфер на три части, в каждой из которых содержание InAs x по толщине увеличивается соответственно от x1 до x2, от x2 до x3 и от x3 до x4, где 0,4<x2<0,6, а 0,6<x3<0,75, а содержание InAs x в активной области более 70% (x4'≥0,7, x4≥0,75). |
