用于制造n型单晶硅太阳能电池的方法以及根据这样的方法制造的太阳能电池

摘要

本发明涉及一种用于制造n型单晶硅太阳能电池的方法，所述n型单晶硅太阳能电池具有背侧的钝化的p+发射极(11)和空间上分开的背侧的近表面地高度掺杂的n++基极区域(12)、以及叉指式背侧接触指结构(26a，b)，所述叉指式背侧接触指结构(26a，b)分别与P+发射极区域和n++基极区域导电地相连接。根据本发明，将铝薄层或含铝薄层沉积在n型硅晶片的背侧，并且接着对所述薄层进行结构化，其中在之后的基极接触的区域中获得开口。然后在另一工艺步骤，使铝扩散到n型硅晶片中以构造结构化的发射极层。

主权项

一种用于制造n型单晶硅太阳能电池的方法，所述n型单晶硅太阳能电池具有背侧的p+发射极和空间上分开的背侧的近表面地高度掺杂的n++基极区域、以及叉指式背侧接触指结构，所述叉指式背侧接触指结构分别与P+发射极区域和n++基极区域导电地相连接，其特征在于，将铝薄层或含铝薄层沉积在n型硅晶片的背侧，并且接着对所述薄层进行结构化，其中在之后的基极掺杂的区域中获得开口，在另一工艺步骤中，使铝扩散到n型硅晶片中以构造结构化的发射极层。