基于纳米线的光电二极管

摘要

基于纳米线的光电二极管100和交叉指型p-i-n光电二极管200在光电二极管100、200的i区域中使用i型半导体纳米线140、240。基于纳米线的光电二极管100、200包括：掺杂有p型掺杂物的第一半导体的第一侧壁110、212、210、掺杂有n型掺杂物的第一半导体的第二侧壁120、222、220、以及横跨所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的沟槽130、230的本征半导体纳米线140、240。沟槽在顶部宽于与衬底150、160、250邻近的底部。所述第一侧壁和所述第二侧壁之一或二者的第一半导体是单晶，并且所述第一侧壁、所述纳米线和所述第二侧壁一起形成所述光电二极管的p-i-n半导体结。

主权项

一种基于纳米线的光电二极管100、200，包括：第一侧壁110、212，其包括掺杂有p型掺杂物的第一半导体；第二侧壁120、222，其包括掺杂有n型掺杂物的所述第一半导体，所述第二侧壁120、222在衬底150、160、250上与所述第一侧壁110、212水平分隔开以形成沟槽130、230，其中沟槽130、230的顶部宽于与所述衬底150、160、250邻近的沟槽130、230的底部，所述第一侧壁110、212和所述第二侧壁120、222之一或二者中的所述第一半导体是单晶；以及纳米线140、240，其水平横跨所述沟槽130、230从所述第一侧壁110、212到达所述第二侧壁120、222，所述纳米线140、240包括第二半导体，所述第二半导体是本征i型半导体，其中，所述第一侧壁110、212、所述纳米线140、240和所述第二侧壁120、222一起形成p‑i‑n光电二极管。