计算半导体装置关键尺寸的方法

主权项

一种计算半导体主动区关键尺寸的方法，包含：提供一基板；形成浅沟渠隔离结构于该基板中以界定复数个主动区，其中各该主动区具有一预定长度以及一特征宽度；形成一闸极介电层于该基板上，其中该闸极介电层具有一预定厚度以及一介电常数；形成一闸极导电层于该闸极介电层上；量测该闸极导电层与该基板之间所存在的一电容值；利用平行板电容公式计算该复数个主动区的一总面积；依据该总面积计算各该主动区的面积；以及以各该主动区之面积除以该预定长度。如请求项1所述计算半导体主动区关键尺寸之方法，其中形成浅沟渠隔离结构的方法包含：形成一硬遮罩层于该基板上；以该硬遮罩层为罩幕蚀刻该基板以形成沟渠；以介电层填塞沟渠；去除该硬遮罩层。如请求项1所述计算半导体主动区关键尺寸之方法，其中该介电常数大约3.9 F/m。如请求项1所述计算半导体主动区关键尺寸之方法，其中该平行板电容公式为C=ε A/d，且C为电容，ε为介电常数，A为面积，d为闸极介电层厚度。如请求项1所述计算半导体主动区关键尺寸之方法，更包含于决定各该主动区之该特征宽度后，图案化该闸极导体层，以形成复数个闸极分别对应该复数个主动区。