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发明名称 METHOD OF MAKING STRAINED SEMICONDUCTOR CMOS TRANSISTORS HAVING LATTICE-MISMATCHED REGIONS
摘要
申请公布号 EP1654770(B1) 申请公布日期 2011.03.30
申请号 EP20040780054 申请日期 2004.08.04
申请人 US 发明人 GB;US;US;GB;US
分类号 H01L21/84;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/12 主分类号 H01L21/84
代理机构 代理人
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