| 发明名称 | 移除半导体发光器件的生长基板的方法 | ||
| 摘要 | 在生长基板(10)上形成的并且包括置于n型区和p型区之间的发光层的半导体结构(110)，通过连接(37、42、44)附着到载体(30)，该连接充分地支撑半导体结构(110)以允许移除生长基板(10)。在某些实施例中，半导体结构是倒装芯片器件(32)。半导体结构可以通过例如金属键合(37)附着到载体，该金属键合几乎支撑半导体结构(110)的整个横向范围，或者通过互连(42)(诸如焊料或者金凸块)附着到载体。将支撑半导体结构(110)的底部填料材料(44)引入到互连(42)之间的任何空间。底部填料材料(44)可以是液体，其被固化以形成刚性结构。然后可以在不引起对半导体结构(110)的破坏的前提下移除生长基板(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN101194373B | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200680020293.3 | 申请日期 | 2006.05.30 |
| 申请人 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 发明人 | J·厄普勒;O·B·施彻金;F·J·小沃尔;J·J·小韦勒;L·周 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李静岚;谭祐祥 |
| 主权项 | 一种移除生长基板的方法，包括：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110)，该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层；通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30)；在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44)，其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑；以及通过激光解离移除该生长基板(10)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||