发明名称 |
一种输入/输出过电压保护电路 |
摘要 |
本发明公开一种输入/输出过压保护电路,主要包括“电压采样及逻辑判断电路”、“主回路切断电路”及“自动限制浪涌电流电路”三个功能模块;工作电压首先经过“采样和逻辑判断电路”来判断电压是否高于安全范围,如果在安全范围内,则开通“主回路切断电路”;如果高于安全电压范围,则通过关断“主回路切断电路”,以此切断主供电回路,保护后级电路。当电路开通时,主回路切断电路后级的限制浪涌电流电路自动开始工作,限制工作电流的峰值,保护切断电路中的开关管和后级用电设备电路。 |
申请公布号 |
CN101582580B |
申请公布日期 |
2011.03.02 |
申请号 |
CN200910040083.6 |
申请日期 |
2009.06.09 |
申请人 |
广州金升阳科技有限公司 |
发明人 |
黄江剑;龚晟;王中于;张红军 |
分类号 |
H02H3/20(2006.01)I;H02H9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H02H3/20(2006.01)I |
代理机构 |
广州知友专利商标代理有限公司 44104 |
代理人 |
宣国华 |
主权项 |
一种输入/输出过压保护电路,其特征在于:包括电压采样及逻辑判断电路、用于切断主供电回路的第一MOSFET管、用于自动限制浪涌电流的第二MOSFET管和分流电阻;输入电压采样及逻辑判断电路的控制输出端连接第一MOSFET管的栅极,第一MOSFET管的栅极连接第一分压回路,第一MOSFET管的源极和漏极连接于主回路工作电压的负电压端,第一MOSFET管的源极连接第二MOSFET管的漏极,第二MOSFET管的源极作为输出到后级电路的负电压端,分流电阻并联于第二MOSFET管的源极和漏极之间,第二MOSFET管的栅极连接第二分压回路;所述第二MOSFET管的栅极与第二分压回路的分压输出端之间连接用于延迟导通第二MOSFET的第二延时电路;所述第一MOSFET管的栅极与第一分压回路的分压输出端之间连接用于防止第一MOSFET管误动作的第一延时电路;当工作电压高于安全电压范围,采样及逻辑判断电路控制输出端输出低电平拉低第一MOSFET管的栅极电压,使第一MOSFET管截止以此切断主供电回路;当工作电压在安全电压范围,采样及逻辑判断电路没有控制输出,第一MOSFET管的栅极由第一分压回路提供栅极电压,使其处于工作状态;同时,通过分流电阻先向后级供电,限制工作电流的峰值,经第二延时电路延时后再开通第二MOSFET管处于工作状态,保护第一MOSFET管和后级用电设备电路。 |
地址 |
510665 广东省广州市天河区车陂路黄洲工业区6栋2楼 |