发明名称 电激发光装置及其制造方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.03.01
申请号 TW095147370 申请日期 2006.12.18
申请人 台达电子工业股份有限公司 发明人 程传嘉;陈世鹏;廖学国;薛清全;陈煌坤
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项 一种电激发光装置的制造方法,包括下列步骤:形成一发光二极体元件于一板体上,该发光二极体元件依序包括一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层,该第一半导体层系形成于该板体上;形成一反射层于该发光二极体元件上;将一导热黏结层设置于该反射层之上;将一导热基板设置于该导热黏结层之上;以及移除该板体。如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一半导体层系为一n型掺杂层,该第二半导体层系为一p型掺杂层。如申请专利范围第1项所述之制造方法,更包括:形成一导热绝缘层于该反射层上。如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该导热黏结层系以网版印刷、旋布或点胶的方式形成于该导热绝缘层上,并与该导热基板黏贴。如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该导热黏结层系以网版印刷、旋布或点胶的方式形成于该导热基板上,并与该导热绝缘层黏贴。如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该导热绝缘层之材质系为氮化铝或碳化矽。如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该导热绝缘层系以反应性溅镀法、非反应性溅镀法、高温氮化法形成于该反射层上。如申请专利范围第1项所述之制造方法,更包括:形成一导热绝缘层于该导热基板上。如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该导热黏结层系以网版印刷、旋布或点胶的方式形成于该导热绝缘层上,并与该反射层黏贴。如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该导热黏结层系以网版印刷、旋布或点胶的方式形成于该反射层上,并与该导热绝缘层黏贴。如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该导热绝缘层之材质系为氮化铝或碳化矽。如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该导热绝缘层系以反应性溅镀法、非反应性溅镀法、高温氮化法形成于该导热基板上。如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该导热黏结层之材质系为锡膏、锡银膏、银膏,或其他合金所组成之一接合焊料。如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中移除该板体之步骤系以雷射剥除(Laser lift-off)制程移除该板体。如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中于移除该板体后,更包括一步骤:移除部分该发光二极体元件,以暴露部分该反射层。如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中移除部分该发光二极体元件之步骤系包括:于该第二半导体层上形成一光阻层;将一光线透过一光罩照射该光阻层;移除部分之该光阻层,以形成一图案化光阻层;移除部分之该第二半导体层、部分之该发光层及部分之该第一半导体层;以及移除该图案化光阻层。如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中于移除部分该发光二极体元件后,更包括一步骤:形成一第一接触电极于该第一半导体层。如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中于移除部分该发光二极体元件后,更包括一步骤:形成一第二接触电极,且该第二接触电极系位于该反射层之暴露部分。如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该导热基板之材质系选自矽、砷化镓、磷化镓、碳化矽、氮化硼、铝、氮化铝、铜及其组合所构成之群组。如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该反射层系为一欧姆接触金属反射层。如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该反射层之材质系选自铂、金、银、钯、镍、铬、钛及其组合所构成的群组。如申请专利范围第1项所述之制造方法,其制程温度系介于25至300之间。如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中于将该导热基板设置于该导热黏结层之上之后,更包括一步骤:翻转该电激发光装置。一种电激发光装置,包括:一导热黏结层;一导热基板,系设置于该导热黏结层之一侧;一导热绝缘层,系设置于该导热基板与该导热黏结层之间;一反射层,系设置于该导热黏结层之另一侧;一发光二极体元件,系设置于该反射层上,并暴露部分之该反射层,该发光二极体元件依序具有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层,该第二半导体层系与该反射层接触;一第一接触电极,系与该第一半导体层电性连接;以及一第二接触电极,其系位于该反射层之暴露部分,且该第二接触电极系与该反射层电性连接。如申请专利范围第24项所述之电激发光装置,其中该导热绝缘层之材质系选自氮化铝或碳化矽。一种电激发光装置,包括:一导热黏结层;一导热基板,系设置于该导热黏结层之一侧;一反射层,系设置于该导热黏结层之另一侧;一导热绝缘层,系设置于该导热黏结层与该反射层之间;一发光二极体元件,系设置于该反射层上,并暴露部分之该反射层,该发光二极体元件依序具有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层,该第二半导体层系与该反射层接触;一第一接触电极,系与该第一半导体层电性连接;以及一第二接触电极,其系位于该反射层之暴露部分,且该第二接触电极系与该反射层电性连接。如申请专利范围第26项所述之电激发光装置,其中该导热黏结层之材质系选自氮化铝或碳化矽。如申请专利范围第24或26项所述之电激发光装置,其中该导热黏结层之材质系为锡膏、锡银膏、银膏,或其他合金所组成之一接合焊料。如申请专利范围第24或26项所述之电激发光装置,其中该反射层系为一欧姆接触金属反射层。如申请专利范围第24或26项所述之电激发光装置,其中该反射层之材质系选自铂、金、银、钯、镍、铬、钛及其组合所构成的群组。如申请专利范围第24或26项所述之电激发光装置,其中该导热基板之材质系选自矽、砷化镓、磷化镓、碳化矽、氮化硼、铝、氮化铝、铜及其组合所构成之群组。
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