| 主权项 |
一种配向膜的形成方法，包括：提供一转印板；于该转印板上形成一分子排列导引层；提供一基板；提供一配向材料于该转印板与该基板之间，并且压合该转印板与该基板，以藉由该分子排列导引层使该配向材料表面的分子呈一方向性排列；使该配向材料硬化成膜，以于该基板上形成一配向膜；以及使该转印板与该基板分离。如申请专利范围第1项所述之配向膜的形成方法，其中该分子排列导引层的前驱物材料包括一胆固醇类组成物，其化学式为X-SiCl3，而X系选自于由下述式(1)~式(4)所组成之族群的至少其中之一。@sIMGTIF!d10016.TIF@eIMG!如申请专利范围第1项所述之配向膜的形成方法，其中该分子排列导引层的材料包括一X分子，该X分子系选自于由下述式(1)~式(4)所组成之族群的至少其中之一。@sIMGTIF!d10017.TIF@eIMG!如申请专利范围第1项所述之配向膜的形成方法，其中该分子排列导引层的前驱物材料包括一组成物，其化学式为Y-SiCl3，Y如下述式(5)所示，其中式(5)中，R系选自于由(CH2)n(n=0~20)、-COO-、@sIMGCHAR!d10052.TIF@eIMG!及@sIMGCHAR!d10053.TIF@eIMG!所组成之族群的至少其中之一。@sIMGTIF!d10018.TIF@eIMG!如申请专利范围第4项所述之配向膜的形成方法，其中于该转印板上形成该分子排列导引层后更包括进行一选择性照光步骤。如申请专利范围第1项所述之配向膜的形成方法，其中该转印板的表面为平坦表面。如申请专利范围第1项所述之配向膜的形成方法，其中该转印板的表面为具有多数个沟槽之表面。如申请专利范围第1项所述之配向膜的形成方法，其中使该配向材料硬化成膜的方法包括热固化(thermal curing)法或紫外光固化(ultraviolet curing)法。如申请专利范围第1项所述之配向膜的形成方法，其中该配向材料包括一高分子材料。如申请专利范围第9项所述之配向膜的形成方法，其中该高分子材料系选自于由聚醯胺(polyimide)、液晶高分子材料(liquid crystal polymer)以及具香豆素(coumarin)侧链的高分子所组成之族群的至少其中之一，其中液晶高分子材料可使用如下述式(6)或式(7)的材料。@sIMGTIF!d10019.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10020.TIF@eIMG!一种配向膜半成品与转印板的复合结构，包括：一转印板；一分子排列导引层，配置于该转印板上；一基板；以及一配向膜，配置于该分子排列导引层与该基板之间。如申请专利范围第11项所述之配向膜半成品与转印板的复合结构，其中该分子排列导引层的前驱物材料包括一胆固醇类组成物，其化学式为X-SiCl3，而X系选自于由下述式(1)~式(4)所组成之族群的至少其中之一。@sIMGTIF!d10021.TIF@eIMG!如申请专利范围第11项所述之配向膜半成品与转印板的复合结构，其中该分子排列导引层的材料包括一X分子，该X分子系选自于由下述式(1)~式(4)所组成之族群的至少其中之一。@sIMGTIF!d10022.TIF@eIMG!如申请专利范围第11项所述之配向膜半成品与转印板的复合结构，其中该分子排列导引层的前驱物材料包括一组成物，其化学式为Y-SiCl3，而Y如下述式(5)所示，其中式(5)中，R系选自于由(CH2)n(n=0~20)、-COO-、@sIMGCHAR!d10054.TIF@eIMG!及@sIMGCHAR!d10055.TIF@eIMG!所组成之族群的至少其中之一。@sIMGTIF!d10023.TIF@eIMG!如申请专利范围第11项所述之配向膜半成品与转印板的复合结构，其中该转印板的表面为平坦表面。如申请专利范围第11项所述之配向膜半成品与转印板的复合结构，其中该转印板的表面为具有多数个沟槽之表面。如申请专利范围第11项所述之配向膜半成品与转印板的复合结构，其中该配向材料包括一高分子材料。如申请专利范围第17项所述之配向膜半成品与转印板的复合结构，其中该高分子材料选自于由聚醯胺(polyimide)、液晶高分子材料(liquid crystal polymer)以及具香豆素(coumarin)侧链的高分子所组成之族群的至少其中之一，其中液晶高分子材料可使用如下述式(6)或式(7)的材料。@sIMGTIF!d10024.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10025.TIF@eIMG! |
