| 发明名称 | 制造碳化硅半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造SiC半导体装置的方法，该方法包括在SiC单晶体(4)的至少一部分表面中离子注入掺杂剂的步骤，在离子注入之后在SiC单晶体(4)的表面上形成Si膜(8)的步骤，以及将提供有Si膜(8)的SiC单晶体(4)加热至不低于Si膜(8)的熔化温度的温度的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101536162B | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200780040840.9 | 申请日期 | 2007.08.13 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 藤川一洋;增田健良 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 林月俊;安翔 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅半导体装置的方法，所述方法包括下列步骤：将掺杂剂离子注入到碳化硅单晶体(4)的至少一部分表面中；在离子注入后的所述碳化硅单晶体(4)的表面上形成硅膜(8)；将其上形成有所述硅膜(8)的所述碳化硅单晶体(4)加热至不低于所述硅膜(8)的熔化温度的温度；以及将离子注入后的所述碳化硅单晶体加热至不小于使经过离子注入而注入的所述掺杂剂活化的温度的温度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||