| 摘要 |
<p>In einem oberen Chip, der mitttels einer Klebeschicht (4) auf einer Passivierungsschicht (3a) an der Oberseite eines unteren Chips befestigt ist, werden Kontaktöffnungen (7a) geätzt und an den Innenwänden mit Siliziumoxidschichten (8) bedeckt. Die Passivierungsschicht auf dem Boden der Öffnungen wird zum Freilegen von in der obersten Metallisierungsschicht (2) des unteren Chips vorhandenen Kontaktflächen erst nach dem Herstellen dieser Distanzschicht (8) entfernt.</p> |
