发明名称 |
用于化学气相沉积设备中的气体墙结构 |
摘要 |
本发明涉及一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,包括设置于外管内腔中的内管,内、外管之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的进气口连通,内管上沿轴向分布多个连通内管内腔和上述均匀间隙的气隙结构,其中每一气隙结构包括沿周向均匀分布的多个进气缝隙、一延伸壁和一导流壁,延伸壁和导流壁沿进入该气隙结构的气流运动方向依次分布在内管内腔中,延伸壁一端固定在内管内壁上,另一端盖过进气缝隙,导流壁为设置在内管内壁上的倾斜面。本发明藉设于一系列交错相连的壁面之间的进气缝隙,令由进气缝隙进入的气体在壁面内侧形成气体墙,从而补偿反应源的沿程损失或者防止壁面的寄生沉积。本发明可应用在化学气相沉积设备中的不同位置。 |
申请公布号 |
CN101956182A |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN201010296332.0 |
申请日期 |
2010.09.29 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
王国斌;朱建军;邱凯;张永红 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,其特征在于:所述气体墙结构包括外管(2)和内管,内管设置在外管内腔中,且内管外壁和外管内壁之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的一个以上进气口(1)连通,所述内管上沿轴向还分布复数个连通内管内腔和所述均匀间隙的气隙结构;其中,每一气隙结构包括沿周向均匀分布的两个以上进气缝隙(4)、一环形延伸壁(7)和一环形导流壁(6),所述延伸壁(7)和导流壁(6)沿进入该气隙结构的气流运动方向依次分布在内管内腔中,所述延伸壁(7)一端固定在内管内壁上,另一端盖过进气缝隙(4),并与进气缝隙(4)、内管内壁共同构成气流通道,所述导流壁(6)为设置在内管内壁上的环形倾斜面,该倾斜面自其靠近进气缝隙(4)的一端起向内管中心处倾斜。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |