| 主权项 |
1.一种制备含有实质上100%饱和浓度的不反应性洗净增强气体溶解在内的去离子水之方法,其系在选定之高洗净温度和选定之伴随洗净压力下用于洗净半导体晶圆,该方法包括步骤为:调整第一部分去离子水之已溶解的不反应性增强气体浓度,该去离子水具有预定之初浓度的该气体溶解在内且具有预定的初较低温度,而在该初较低温度时提供一种经预定欠饱和调整的溶解在内之气体浓度;及调整所产生之已调整气体浓度的第一部去离子水之温度,其系藉由混合预定比率的一温度调整量之第二部分去离子水(其具有预定之初浓度的该气体溶解在内且具有预定的初较高温度),足以在洗净半导体晶圆用的该洗净温度和该洗净压力下形成一种含有该实质上100%饱和浓度的气体溶解在内之去离子水的热浴。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该洗净温度系约50-85℃,该第一部分的去离子水之初较低温度系约15-30℃,该第二部分的去离子水之初较高温度系约60-95℃且比该洗净温度高至少约5℃,而该洗净压力系约大气压力。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二部分的去离子水具有实质上100%饱和初浓度的该气体溶解在内,而该第一部分的去离子水之气体浓度系被调整以提供一种至少约90%且至多低于实质上100%饱和浓度的欠饱和经调整浓度的该气体溶解在内。4.如申请专利范围第1项之方法,其更包括将一种化学洗净剂加到该热浴中。5.如申请专利范围第1项之方法,其更包括将一种含有过氧化氢和氢氧化铵的化学洗净剂加到该热浴中。6.如申请专利范围第1项之方法,其更包括将一种含有过氧化氢和氢氧化铵的化学洗净剂加到该热浴中以提供去离子水:过氧化氢:氢氧化铵的体积比为约10:1:1至1,000:2:1。7.如申请专利范围第1项之方法,其更包括使半导体晶圆接触该热浴而洗净半导体晶圆。8.如申请专利范围第1项之方法,其更包括将半导体晶圆浸于热浴中及将百万赫超音波振动施予该热浴而洗净半导体晶圆。9.一种制备含有实质上100%饱和浓度的不反应性洗净增强气体溶解在内的去离子水之方法,其系在选定之约50-80℃的高洗净温度和选定之约大气压力的伴随洗净压力下用于洗净半导体晶圆,该方法包括步骤为:调整第一部分去离子水之已溶解的不反应性增强气体浓度,该去离子水具有预定之初浓度的该气体溶解在内且具有预定的约15-30℃之初较低温度,而在该初较低温度时提供一种经预定欠饱和调整的溶解在内之气体浓度;及调整所产生之已调整气体浓度的第一部去离子水之温度,其系藉由混合预定比率的一温度调整量之第二部分去离子水,此第二部分去离子水具有预定之初浓度的该气体溶解在内且具有预定的初较高温度(约60-95℃且比该洗净温度高至少约5℃),俾足以在洗净半导体晶圆用的该洗净温度和该洗净压力下形成一种含有该实质上100%饱和浓度的气体溶解在内之去离子水的热浴;及其更包括将该晶圆浸于该热浴中及将百万赫超音波振动施予该热浴而洗净该晶圆。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该第二部分的去离子水具有实质上100%饱和初浓度的该气体溶解在内,而该第一部分的去离子水之气体浓度系被调整以提供一种至少约90%且至多低于实质上100%饱和浓度的欠饱和经调整浓度的该气体溶解在内。11.如申请专利范围第9项之方法,其更包括将一种化学洗净剂加到该热浴中。12.如申请专利范围第9项之方法,其更包括将一种含有过氧化氢和氢氧化铵的化学洗净剂加到该热浴中。13.如申请专利范围第9项之方法,其更包括将一种含有过氧化氢和氢氧化铵的化学洗净剂加到该热浴中以提供去离子水:过氧化氢:氢氧化铵的体积比为约10:1:1至1,000:2:1。14.一种制备含有实质上100%饱和浓度的不反应性洗净增强气体溶解在内的去离子水之方法,其系在选定之高洗净温度和选定之伴随洗净压力下用于洗净半导体晶圆,该方法包括步骤为:气化具有预定初浓度的不反应性增强气体溶解在内且具有预定初较低温度之第一部分去离子水,以在该初较低温度提供一种经预定欠饱和调整的溶解在内之该气体浓度;及加热所产生之已调整气体浓度的第一部去离子水之温度,其系藉由混合预定比率的一温度调整量之第二部分去离子水(其具有预定之初浓度的该气体溶解在内且具有预定的初较高温度),足以在洗净半导体晶圆用的该洗净温度和该洗净压力下形成一种含有该实质上100%饱和浓度的气体溶解在内之去离子水的热浴。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该洗净温度系约50-85℃,该第一部分的去离子水之初较低温度系约15-30℃,该第二部分的去离子水之初较高温度系约60-95℃且比该洗净温度高至少约5℃,而该洗净压力系约大气压力。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该第二部分的去离子水具有实质上100%饱和初浓度的该气体溶解在内,而该第一部分的去离子水之气体浓度系被调整以提供一种至少约90%且至多低于实质上100%饱和浓度的欠饱和经调整浓度的该气体溶解在内。17.如申请专利范围第14项之方法,其更包括将一种化学洗净剂加到该热浴中。18.如申请专利范围第14项之方法,其更包括将一种含有过氧化氢和氢氧化铵的化学洗净剂加到该热浴中。19.如申请专利范围第14项之方法,其更包括将一种含有过氧化氢和氢氧化铵的化学洗净剂加到该热浴中以提供去离子水:过氧化氢:氢氧化铵的体积比为约10:1:1至1,000:2:1。20.如申请专利范围第14项之方法,其更包括使半导体晶圆接触该热浴而洗净半导体晶圆。21.如申请专利范围第14项之方法,其更包括将半导体晶圆浸于热浴中及将百万赫超音波振动施予该热浴而洗净半导体晶圆。22.一种用于制备去离子水之配置,该去离子水含有实质上100%饱和浓度的不反应性洗净增强气体溶解在内且其系在选定之高洗净温度和选定之伴随洗净压力下用于洗净半导体晶圆,该配置包括:气化器室,与第一流量控制装置流通连接,该第一流量控制装置系与液体混合装置流通连接,以便将一已调整气体浓度的第一部分液体由该室供应给它;第一液体入口装置,用于在第一预定温度和第一预定浓度的气体溶解在内时,将第一部分的液体供应给该室;气体入口装置,用于供应气体给该室;施压装置,其与该气体入口装置流通连接,以便在一选定的调整过之压力下供应该气体给该室;及感压装置,用于感知该室内的压力;第二流量控制装置,其与该混合装置流通连接,以便在第二预定温度和第二预定浓度的气体溶解在内时,将第二部分的液体供应给该混合装置;感温装置,用于感知该混合装置中的液体温度;及控制装置,其连接至该施压装置、该感压装置、该感温装置、该第一流量控制装置及该第二流量控制装置以控制该施压装置的操作而选择地调整该室中的压力,及控制该第一和第二流量控制装置以选择地调整该第一和第二液体经由该混合装置的各个流动,以提供所生成的混合液体其对应于在一选定的经调整浓度之气体溶解在内且在一选定的高温和伴随压力下的去离水之热浴。23.如申请专利范围第22项之配置,其更包括一洗净槽,设置用于接受来自一种百万赫超音波洗净半导体晶圆用的混合装置之产成的混合液体。图式简单说明:第1图系本发明的装置配置之示意图,其用于制备百万赫超音波洗净半导体晶圆用的经气化和经加热之去离子水;第2图系一曲线图,显示在25℃恒温时去离子水的氮化矽粒子移除效率为氮气浓度的函数;及第3图系一曲线图,显示在不同温度时于一大气恒压下去离子水的最适氮气浓度。 |
