| 发明名称 |
Method for fabricating a MOS-gated semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1256133(B1) |
申请公布日期 |
2011.01.19 |
| 申请号 |
EP20010906781 |
申请日期 |
2001.01.30 |
| 申请人 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
KOCON, CHRISTOPHER |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/225;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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