发明名称 METHOD FOR DOPING IN POLY SILICON AND METHOD FOR FABRICATING DUAL POLY GATE USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR101009350(B1) 申请公布日期 2011.01.19
申请号 KR20080036657 申请日期 2008.04.21
申请人 发明人
分类号 H01L21/265;H01L21/336 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
地址
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