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发明名称 NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要 기판 상에 형성된 하부 전극; 하부 전극 상에 형성된 활성층; 및 활성층 상에 형성된 상부 전극을 포함하며, 활성층은 금속 산화물- 그래핀 양자점 및 유기 고분자 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 장치를 제공한다. 이에 따라, 전류-전압 특성이 우수한 비휘발성 메모리 장치가 제공될 수 있다.
申请公布号 KR101651510(B1) 申请公布日期 2016.08.29
申请号 KR20150016660 申请日期 2015.02.03
申请人 한국과학기술연구원 发明人 김태욱;손동익;배수강;이상현;문병준;이동수;박민
分类号 C01B31/04;H01L27/115 主分类号 C01B31/04
代理机构 代理人
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