发明名称 |
具有高电压晶体管的集成电路系统及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有高电压晶体管的集成电路系统及其制造方法。其中一种集成电路系统的制造方法,包括:提供具有主动区的半导体基板,该主动区注入了第一浓度的第一类型杂质;围绕该主动区形成隔离区;在该主动区和隔离区的上方施加栅极电极,从而形成寄生晶体管,其中,该栅极电极注入了第二浓度的第二类型杂质;以及施加隔离边缘注入,以抑制该寄生晶体管,其中,该隔离边缘注入采用第三浓度的第一类型杂质,该第三浓度大于或等于该第二浓度。 |
申请公布号 |
CN101930946A |
申请公布日期 |
2010.12.29 |
申请号 |
CN201010200589.1 |
申请日期 |
2010.06.08 |
申请人 |
新加坡格罗方德半导体制造私人有限公司 |
发明人 |
董业民;P·R·韦尔马;邹欣;程超;鞠韶復 |
分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;靳强 |
主权项 |
一种集成电路系统的制造方法,包括:提供具有主动区的半导体衬底,该主动区注入了第一浓度的第一类型杂质;围绕该主动区形成隔离区;在该主动区和隔离区的上方施加栅极电极,从而形成寄生晶体管,其中,该栅极电极注入了第二浓度的第二类型杂质;以及施加隔离边缘注入,以抑制该寄生晶体管,其中,该隔离边缘注入采用第三浓度的第一类型杂质,该第三浓度大于或等于该第二浓度。 |
地址 |
新加坡新加坡城 |