形成非晶碳膜的方法和使用该方法制造半导体装置的方法

摘要

本发明涉及一种形成非晶碳膜的方法和一种使用所述方法制造半导体装置的方法。通过将具有链状结构和一个双键的液态碳氢化合物汽化，并将化合物供应到腔室且将化合物离子化，而在衬底上形成非晶碳膜。非晶碳膜用作硬掩模膜。可容易地控制非晶碳膜的特征，如沉积速率、蚀刻选择性、折射率(n)、光吸收系数(k)和应力，以满足用户要求。明确来说，可降低折射率(n)和光吸收系数(k)。因而，可在不具有防止下材料层发生漫反射的抗反射膜的情况下执行光刻过程。另外，在沉积过程期间产生少量反应副产物，且可容易地移除粘附在腔室内壁上的反应副产物。为此，可增加用于清洁腔室过程的周期，并可增加腔室的零件替换周期。故，可节省时间和成本。

主权项

一种形成非晶碳膜的方法，其特征在于，所述方法包括：将衬底加载到腔室中；以及通过将包含一个双键的链状结构液态碳氢化合物汽化，并将所述碳氢化合物供应到所述腔室且将所述碳氢化合物离子化，而在所述衬底上形成非晶碳膜，其中，所述碳氢化合物包括己烯、壬烯、十二烯、十五烯和其组合中的一者。