| 主权项 |
一种半导体装置之评估方法，该半导体装置包含半导体、绝缘体和导体的叠层，包括：向半径为r的导体施加电压以测量闸极漏电流；将闸极漏电流除以其中半导体与导体交叠的区域面积来计算电流密度Jg；和通过使用公式Jg=2A/r+B(A和B分别是常数)的系数来计算空乏层边缘漏电流和平面内漏电流。一种半导体装置之评估方法，该半导体装置包含半导体、绝缘体和导体的叠层，包括：向导体施加电压以测量闸极漏电流；将闸极漏电流除以其中半导体与导体交叠的区域面积来计算电流密度Jg；和通过使用公式Jg=A/W+B/L+C(A、B与C分别为常数)的系数来计算空乏层边缘漏电流、平面内漏电流和矽边缘漏电流。一种半导体装置之评估方法，该半导体装置包含半导体、绝缘体和导体的叠层，包括：使半导体的电位等于较低电位电源的电位，并向半径为r的导体施加电压以测量闸极漏电流；将闸极漏电流除以导体的面积π r2来计算电流密度Jg；和通过使用公式Jg=2A/r+B(A和B分别是常数)的系数来计算空乏层边缘漏电流和平面内漏电流。一种半导体装置之评估方法，该半导体装置包含半导体、绝缘体和导体的叠层，包括：使包含于半导体中的杂质区的电位等于较低电位电源的电位，并向导体施加电压以测量闸极漏电流；将闸极漏电流除以其中半导体与导体交叠的区域面积W×L(W是通道宽度，L是通道长度)来计算电流密度Jg；和通过使用公式Jg=A/W+B/L+C(A、B与C分别为常数)的系数来计算空乏层边缘漏电流、平面内漏电流和矽边缘漏电流。 |
