发明名称 | 硅太阳能电池及其制造方法 | ||
摘要 | 公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括:掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板;所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层,所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反;所述基板的整个表面上的防反射层;穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极;以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。 | ||
申请公布号 | CN101878536A | 申请公布日期 | 2010.11.03 |
申请号 | CN200880118116.8 | 申请日期 | 2008.11.05 |
申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 安俊勇;郭桂荣;郑柱和 |
分类号 | H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉 |
主权项 | 一种利用丝网印刷方法来制造硅太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:制备掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板;在所述硅半导体基板上形成掺杂有第二导电杂质的发射极层,所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反;在所述发射极层上的上电极连接到所述发射极层的位置处,利用丝网印刷方法来形成刻蚀掩模图案;利用所述刻蚀掩模图案作为掩模,在所述发射极层上进行回蚀处理;去除在进行了所述回蚀处理之后留下的所述刻蚀掩模图案;在所述硅半导体基板的整个表面上形成防反射层;使所述上电极穿过所述防反射层,并将所述上电极在上电极形成位置处连接到所述发射极层;以及将下电极连接到所述硅半导体基板的下部。 | ||
地址 | 韩国首尔 |