| 发明名称 | 氧化层制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化层制造方法，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述氧化层制造方法包括：执行低压化学气相沉积工艺，以在晶片上形成第一氧化层；执行现场水汽生成退火工艺，以在所述第一氧化层上形成第二氧化层，本发明可使所述晶片表面的氧化层厚度的均匀性得到明显的改善。 | ||
| 申请公布号 | CN101866851A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN201010172661.4 | 申请日期 | 2010.05.12 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 郭国超 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种氧化层制造方法，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述氧化层制造方法包括：执行低压化学气相沉积工艺，以在晶片上形成第一氧化层；执行现场水汽生成退火工艺，以在所述第一氧化层上形成第二氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||