发明名称 | 存储装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种充分地发挥了SLC型闪存和MLC型闪存这两者的优点的存储装置。存储装置包括:二值闪存,具有第一存储区域,每单个单元可以存储2种值;多值闪存,具有第二存储区域,每单个单元可以存储3种以上的值;以及控制部,在将第一存储区域配置于开头的区域的同时逻辑结合第一存储区域和第二存储区域,并作为为单一的存储区域的结合区域而进行数据的读写。根据预定的文件系统而在存储区域的开头存储数据的管理信息。 | ||
申请公布号 | CN101853207A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
申请号 | CN201010154230.5 | 申请日期 | 2008.05.13 |
申请人 | 巴比禄股份有限公司 | 发明人 | 荒川忠史 |
分类号 | G06F12/02(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 柳春雷;南霆 |
主权项 | 一种存储装置,包括:二值闪存,具有第一存储区域,每单个单元可以存储2种值;多值闪存,具有第二存储区域,每单个单元可以存储3种以上的值;接口,该接口与主机装置相连;以及控制部,逻辑结合所述第一存储区域和所述第二存储区域,并作为为单一的存储区域的结合区域而进行数据的读写;所述控制部包括:总线转换部,经由所述接口从所述主机装置接收包含对所述结合区域内的地址的指定的基于第一规格的信号,并将该信号转换为用于访问所述二值闪存和所述多值闪存的基于第二规格的信号;地址转换部,将由所述主机装置指定的地址转换为所述第一存储区域或所述第二存储区域内的地址;以及读写部,根据转换后的所述地址,针对所述第一存储区域或所述第二存储区域进行数据的读写。 | ||
地址 | 日本爱知县 |