首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
照明灯具
摘要
【課題】省エネルギーおよび環境保護を達成できる上、輝度および発光効率が高い照明電球を提供する。【解決手段】照明電球は、光源モジュール5を含み、光源モジュール5の前方には、光学レンズ3が配置され、光学レンズ3の光線を放射する側の表面には、拡散層がめっきされている。かかる照明灯具によれば、光源モジュール5から放出された光は、先ず、光学レンズ3によって屈折または/および反射した後、拡散層によって外部に屈折または/および反射し、拡散するようにして、該照明電球を構成する。【選択図】図3
申请公布号
JP3163068(U)
申请公布日期
2010.09.30
申请号
JP20100004482U
申请日期
2010.07.02
申请人
東莞瑩輝燈飾有限公司
发明人
徐水盛
分类号
F21S2/00;F21V5/04
主分类号
F21S2/00
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
Light emitting device and projector
Light emitting device and projector
HETERO-JUNCTION SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Photovoltaic Device and Method of Making
SEMICONDUCTOR DEVICES WITH GRAPHENE NANORIBBONS
SEMICONDUCTOR DEVICES WITH CONDUCTIVE CONTACT STRUCTURES HAVING A LARGER METAL SILICIDE CONTACT AREA
MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
NANO MOSFET WITH TRENCH BOTTOM OXIDE SHIELDED AND THIRD DIMENSIONAL P-BODY CONTACT
FINFET DEVICE WITH A SUBSTANTIALLY SELF-ALIGNED ISOLATION REGION POSITIONED UNDER THE CHANNEL REGION
GALLIUM NITRIDE BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR INCLUDING AN ALUMINUM GALLIUM NITRIDE BARRIER LAYER
ATOMIC LAYER DEPOSITION OF P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILMS
METHOD FOR FABRICATING LIGHTLY DOPED DRAIN AREA, THIN FILM TRANSISTOR AND ARRAY SUBSTRATE
COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
TAPERED GATE OXIDE IN LDMOS DEVICES
ALL AROUND CONTACT DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME
TRENCH POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Semiconductor Structures Employing Strained Material Layers with Defined Impurity Gradients and Methods for Fabricating Same
ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE
ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ARRAY SUBSTRATE AND FABRICATION METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE