发明名称 |
修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法及栅极的制造方法 |
摘要 |
一种修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法,包括:提供具有多晶硅栅极的半导体衬底;对所述栅极执行原位生成水蒸气氧化工艺,在所述栅极侧壁形成氧化层。本发明还提供栅极的制造方法。本发明方法工艺简单,并能够避免在修复栅极侧壁刻蚀损伤时对栅氧化层的影响。 |
申请公布号 |
CN101290880B |
申请公布日期 |
2010.09.29 |
申请号 |
CN200710039806.1 |
申请日期 |
2007.04.20 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
虞肖鹏;张复雄 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李文红 |
主权项 |
一种修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法,其特征在于,包括:提供具有多晶硅栅极的半导体衬底;对所述栅极执行原位生成水蒸气氧化工艺,在所述栅极侧壁形成氧化层;在所述栅极侧壁形成侧壁层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |