摘要 |
<p>L'invention concerne un substrat de silicium fonctionnalisé par des molécules à propriétés redox, son procédé de fabrication et un système hybride de mémoire moléculaire le comprenant. Le substrat de silicium de l'invention comprend une couche en silicium revêtue sur au moins une de ses surfaces d'une couche en oxyde de silicium, la couche en oxyde de silicium étant fonctionnalisée par des groupements R ayant des propriétés redox, et comprend, de plus, au moins un espaceur E dont une extrémité est liée à la couche d'oxyde de silicium et l'autre extrémité est liée à un groupement R. L'invention trouve application dans le domaine des systèmes hybrides de mémoire moléculaire, en particulier.</p> |