发明名称 MEMOIRE HYBRIDE MOLECULAIRE A RETENTION DE CHARGE ELEVEE
摘要 <p>L'invention concerne un substrat de silicium fonctionnalisé par des molécules à propriétés redox, son procédé de fabrication et un système hybride de mémoire moléculaire le comprenant. Le substrat de silicium de l'invention comprend une couche en silicium revêtue sur au moins une de ses surfaces d'une couche en oxyde de silicium, la couche en oxyde de silicium étant fonctionnalisée par des groupements R ayant des propriétés redox, et comprend, de plus, au moins un espaceur E dont une extrémité est liée à la couche d'oxyde de silicium et l'autre extrémité est liée à un groupement R. L'invention trouve application dans le domaine des systèmes hybrides de mémoire moléculaire, en particulier.</p>
申请公布号 FR2943460(A1) 申请公布日期 2010.09.24
申请号 FR20090001257 申请日期 2009.03.18
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 发明人 BARATTIN REGIS;DELAPIERRE GUILLAUME
分类号 H01L27/112;B32B33/00 主分类号 H01L27/112
代理机构 代理人
主权项
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