| 发明名称 | 含有Si元素和C元素的MgB<sub>2</sub>超导材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种MgB2超导材料，其特征在于含有Si/N/C纳米粉。制备所述的MgB2超导材料的方法，其特征在于，将Mg粉，B粉，Si/N/C纳米粉按照摩尔比0.8∶1.6∶0.2或0.95∶1.9∶0.05或0.975∶1.95∶0.025配制并混合均匀，装入铁管或铁铜复合管中密封后，按顺序先后进行旋锻、拉拔、轧制，得到含有Si元素、C元素的MgB2超导线材；或者将混合均匀的原料粉用压片机进行压片，得到含有Si元素和C元素的MgB2超导块材；将得到的线带材或块材放置真空炉中，抽真空后充入氩气，在600℃-900℃保温0.5-2小时，最终得到含有Si元素和C元素的MgB2超导材料。本发明制备的MgB2超导材料磁场下的性能非常优异，且具有很好的重复性。 | ||
| 申请公布号 | CN1929044B | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200610089151.4 | 申请日期 | 2006.08.07 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 张现平;马衍伟 |
| 分类号 | H01B12/00(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L39/12(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I | 主分类号 | H01B12/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人 | 关玲 |
| 主权项 | 一种含有Si元素和C元素的MgB2超导材料，其特征在于在MgB2超导材料中掺杂有Si/N/C纳米粉，所述MgB2超导材料的组成摩尔比为：Mg∶B∶Si/N/C＝0.8∶1.6∶0.2或0.95∶1.9∶0.05或0.975∶1.95∶0.025。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区中关村北二条6号 | ||