发明名称 |
双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线 |
摘要 |
本发明系一种双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线,系利用带拒的功能去抑制不需要的频段,并符合微波存取全球互通应用之三个频段,于双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线之辐射部蚀刻一曲折状沟槽抑制3.3-4.3十亿赫兹(GHz)之频段,然后在辐射部蚀刻直线状沟槽,藉其两直线段抑制4-5.2十亿赫兹(GHz)之频段。 |
申请公布号 |
TWI328901 |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
TW096125551 |
申请日期 |
2007.07.13 |
申请人 |
南台科技大学 SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY 台南县71005永康市南台街1号 |
发明人 |
陈文山;张育祯 |
分类号 |
|
主分类号 |
|
代理机构 |
|
代理人 |
李文祯 台南市安平区庆平路191号4楼之2 |
主权项 |
1.一种双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线,系于一基板上形成有辐射部、馈入部、接地部,该辐射部系为方型,设有曲折状沟槽及直线状沟槽,该辐射部之一侧延伸有长条状之馈入部,该馈入部之另一侧垂直设置于接地部之平面上,该馈入部之宽度系小于辐射部之边长,其内设有馈入线,其中:曲折状沟槽,系于辐射部相对于馈入部之一侧设开口,自开口朝馈入部纵向延伸一适当长度之第一曲折段,该第一曲折段朝辐射部一侧横向延伸适当长度之第二曲折段,又自第二曲折段朝设有开口之辐射部一侧纵向延伸有第三曲折段,其中第三曲折段之长度系小于第一曲折段之长度,该第三曲折段系朝第一曲折段延伸有第四曲折段,该第四曲折段之长度系小于第二曲折段之长度,且于第一曲折段及第四曲折段间形成一间隔;直线状沟槽,系由曲折状沟槽之第三曲折段向馈入部延伸有两条直线段。 ;2.如申请专利范围第1项所述之双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线,其系为一多重输入/输出型(MIMO)天线。 ;3.如申请专利范围第1项所述之双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线,其中,该基板系为玻璃纤维介质基板。 ;4.如申请专利范围第1项所述之双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线,其中,该馈入部系以超微型A版(SMA)接头作为馈入端。 ;5.如申请专利范围第1项所述之双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线,其中,该馈入部系为共面波导馈入(CPW-fed)。 ;6.如申请专利范围第1项所述之双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线,其中,该馈入线,系为微带线。 ;7.如申请专利范围第1项所述之双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线,其中,该曲折状沟槽,系为低频段之带拒,系抑制3.3-4.3十亿赫兹(GHz)之频段。 ;8.如申请专利范围第1项所述之双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线,其中,该直线沟槽,系为高频段之带拒,系抑制4-5.2十亿赫兹(GHz)之频段。 ;9.如申请专利范围第8项所述之双频带拒技术的共面波导馈入的印刷天线,其中,该直线沟槽长度系为四分之一波长。;第一图 本发明之一较佳实施例结构示意图。;第二图 本发明之一较佳实施例频率响应图。;第三图 本发明之一较佳实施例蚀刻双抑制后实测的频率响应图。;第四图(a)本发明之一较佳实施例在微波存取全球互通频率在2.5-2.7GHz时,x-z及y-z平面上的远场辐射场形实验量测结果。;第四图(b)本发明之一较佳实施例在微波存取全球互通频率在3.3-3.8GHz时,x-z及y-z平面上的远场辐射场形实验量测结果。;第四图(c)本发明之一较佳实施例在微波存取全球互通频率在5.2-5.8GHz时,x-z及y-z平面上的远场辐射场形实验量测结果。;第五图 本发明之一较佳实施例抑制频段天线增益图。 |
地址 |
SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY 台南县71005永康市南台街1号 |