发明名称 |
一种基于保护芯片的锂电池防过充的实现方法及实现电路 |
摘要 |
本发明公开一种基于保护芯片的锂电池防过充的实现方法及实现电路,保护芯片的正电源端连接在电源正极上,保护芯片的负电源端连接在电源负极上,锂电池的正极与电源正极连接,锂电池的负极与电源负极连接,电源负极和锂电池负极之间连接有MOS管,保护芯片的DO端控制MOS管的通断,保护芯片的VM端上连接有开关电路,开关电路触发端连接在电压检测电路上,保护芯片的VM端常态时为高电平,使保护芯片的DO端控制MOS管常态时导通,保护芯片的VM端触发态时为低电平,使保护芯片的DO端控制MOS管触发态时关断。本发明大大简化了电路结构,降低了产品成本,在提高了产品可靠性的同时,还减小了电池的内阻。 |
申请公布号 |
CN101800433A |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN200910208319.2 |
申请日期 |
2009.10.23 |
申请人 |
欣旺达电子股份有限公司 |
发明人 |
贺乃瑞 |
分类号 |
H02J7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H02J7/00(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市千纳专利代理有限公司 44218 |
代理人 |
胡坚;童海霓 |
主权项 |
一种基于保护芯片的锂电池防过充的实现方法,保护芯片的正电源端连接在电源正极上,保护芯片的负电源端连接在电源负极上,锂电池的正极与电源正极连接,锂电池的负极与电源负极连接,其特征是:所述的电源负极和锂电池负极之间连接有MOS管,保护芯片的DO端控制MOS管的通断,保护芯片的VM端上连接有开关电路,开关电路触发端连接在电压检测电路上,保护芯片的VM端常态时为高电平,使保护芯片的DO端控制MOS管常态时导通,保护芯片的VM端触发态时为低电平,使保护芯片的DO端控制MOS管触发态时关断。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区石岩水田同富康工业区C栋 |