发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种包括半导体的封装形式的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:半导体衬底,具有有源元件布置于其上和衬垫布置于其表面上并连接至有源元件;布置于半导体衬底上并连接至衬垫的第一互连;以覆盖第一互连的关系布置于半导体衬底上并具有延伸到第一互连的部分的开口的第一绝缘层;布置在开口内和第一绝缘层上并连接至第一互连的第二互连。 |
申请公布号 |
CN101127345B |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN200710141086.X |
申请日期 |
2007.08.16 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
山形修 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云;马高平 |
主权项 |
一种包括半导体的封装形式的半导体装置,包括:半导体衬底,具有有源元件和布置在表面上并连接至所述有源元件的衬垫;第一互连,布置在所述半导体衬底上并连接至所述衬垫;第一绝缘层,以覆盖所述第一互连的关系布置在所述半导体衬底上并具有延伸到所述第一互连的部分的开口;以及第二互连,布置在所述开口内和所述第一绝缘层上并连接至所述第一互连,其中所述第一互连具有互连区域和宽于所述互连区域的焊盘区域,所述开口延伸到所述焊盘区域。 |
地址 |
日本东京都 |