发明名称 |
单栅极结构的半导体存储器 |
摘要 |
一种单栅极半导体存储器包括:高电势阱,位于半导体衬底的上部上;第一阱,位于高电势第二导电型阱的上部上;第二阱,在高电势阱的上部上与第一阱间隔开并穿过高电势阱;浮置栅极,位于第一阱和第二阱上;第一离子注入区,位于浮置栅极的一侧上的第一阱中;第二离子注入区,位于浮置栅极的另一侧上的第一阱中;第一互补离子注入区,位于靠近第二离子注入区的第一阱中;第三离子注入区,位于浮置栅极的一侧上的第二阱中;以及第二互补离子注入区,位于浮置栅极的另一侧上的第二阱中。 |
申请公布号 |
CN101764135A |
申请公布日期 |
2010.06.30 |
申请号 |
CN200910262257.3 |
申请日期 |
2009.12.22 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
郑真孝 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
姜燕;邢雪红 |
主权项 |
一种半导体存储器,包括:高电势阱,位于半导体衬底的上部上;第一阱,位于所述高电势阱的上部上,所述第一阱具有第一导电型;第二阱,在所述高电势阱的上部上与所述第一阱间隔开并穿过所述高电势阱,所述第二阱具有第一导电型;浮置栅极,位于所述第一阱和所述第二阱上,所述浮置栅极具有第一导电型;第一离子注入区,位于所述浮置栅极的一侧上的第一阱中,所述第一离子注入区具有第二导电型;第二离子注入区,位于所述浮置栅极的另一侧上的第一阱区中,所述第二离子注入区具有第二导电型;第一互补离子注入区,位于靠近所述第二离子注入区的第一阱中,所述第一互补离子注入区具有第一导电型;第三离子注入区,位于所述浮置栅极的一侧上的第二阱区中,所述第三离子注入区具有第二导电型;以及第二互补离子注入区,位于所述浮置栅极的另一侧上的第二阱区中。 |
地址 |
韩国首尔 |