| 发明名称 | 一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构，其由多个垂直栅SOI CMOS器件并列排布而成，其中相邻的垂直栅SOI CMOS器件的PMOS区与PMOS区相邻，NMOS区与NMOS区相邻；所有垂直栅SOICMOS器件的源区位于同一侧，漏区位于另一侧；所有垂直栅SOI CMOS器件的栅极从侧面引出形成叉指栅极。相邻的PMOS区共用一个体电极，相邻的NMOS区共用一个体电极，所有体电极并行相连形成叉指体电极。所有源区引出的源极并行连接形成叉指源极；所有漏区引出的漏极并行连接形成叉指漏极。本发明将多个CMOS器件的栅极通过叉指型拓扑结构并联起来，相当于提高了垂直栅SOI CMOS器件的等效栅宽，可以起到调节其沟道电流的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN101764136A | 申请公布日期 | 2010.06.30 |
| 申请号 | CN200910200719.9 | 申请日期 | 2009.12.24 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 程新红;何大伟;俞跃辉;肖德元;王中健;徐大朋 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟;尹丽云 |
| 主权项 | 一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构，其特征在于：所述叉指型结构由多个垂直栅SOI CMOS器件并列排布而成，其中相邻的垂直栅SOI CMOS器件的PMOS区与PMOS区相邻，NMOS区与NMOS区相邻；所有垂直栅SOI CMOS器件的源区位于同一侧，漏区位于另一侧；所有垂直栅SOICMOS器件的栅极从侧面引出形成叉指栅极。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||