发明名称 |
在硅基底上制备二氧化钛或二氧化锆微图案方法 |
摘要 |
本发明公开了一种在硅基底上制备二氧化钛或二氧化锆微图案方法。本发明以廉价的无机盐水溶液作为原料来替代传统的金属醇盐,以化学沉积法制得了图案化的二氧化钛、二氧化锆的无机物薄膜。紫外光照使得硅表面荷正电,抑制了无机物在该区域的沉积。所得到的氧化物图案为负相图案。该方法未对表面进行任何修饰,在完全亲水的表面上即可获得图案,具有操作简单,成本低廉的优点,且拓展了光电效应在图案化领域的应用。 |
申请公布号 |
CN101459053B |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200710307722.1 |
申请日期 |
2007.12.13 |
申请人 |
中国科学院兰州化学物理研究所 |
发明人 |
陈淼;梁山 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/36(2006.01)I;C23C18/06(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I;C23C18/54(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
兰州中科华西专利代理有限公司 62002 |
代理人 |
方晓佳 |
主权项 |
一种在硅基底上制备二氧化钛或二氧化锆微图案方法,其特征在于该方法包括以下步骤:A、硅基底的处理依次用甲苯、丙酮、乙醇超声清洗硅片,然后置于浓硫酸和双氧水的混合溶液中于90℃煮20-40分钟,水冲洗,氮气吹干;B、紫外光照硅片上放置光掩膜板,同时用石英片压紧,于紫外灯下光照30~90min,移去掩膜板,静置;C、化学沉积将光照后的硅片放入过氧硫酸钛或过氧硫酸锆的水溶液中于80℃下沉积20~30分钟,丙酮清洗,更换过氧硫酸钛或过氧硫酸锆的澄清水溶液,重复该过程1~2次。 |
地址 |
730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号 |