| 发明名称 | 一维单晶氧化铋纳米材料的合成方法 | ||
| 摘要 | 一种一维单晶氧化铋纳米材料的合成方法，包括下列步骤：①α相氧化铋为原料，所用的矿化剂为硫酸盐，所述的α相氧化铋与硫酸盐的摩尔比为1/3～1/50，溶剂为水，在加入去离子水后，α相氧化铋原料浓度为0.01M～1.0M；②将所述的原料和矿化剂在去离子水中分散均匀后，装入带聚四氟乙烯内衬的反应釜中；③将反应釜放入烘箱中，在110℃～200℃的温度范围内保温2小时～48小时，冷却至室温，以漏斗抽滤，经去离子水洗涤后，得到淡黄色的一维单晶α-Bi2O3纳米材料。本方法的原料价廉易得，设备简单，操作安全可靠；对环境没有污染；产品具有较大的比表面积，产率高，制备工艺重复性好。 | ||
| 申请公布号 | CN101311360B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200810036104.2 | 申请日期 | 2008.04.16 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 周莹;顾冬红 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C01G29/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 一种一维单晶氧化铋纳米材料的合成方法，其特征在于该方法包括下列步骤：①α相氧化铋为原料，所用的矿化剂为硫酸盐，所述的α相氧化铋与硫酸盐的摩尔比为1/3～1/50，溶剂为去离子水，在加入去离子水后，α相氧化铋原料浓度为0.01M～1.0M；②将所述的原料和矿化剂在去离子水中分散均匀后，装入带聚四氟乙烯内衬的反应釜中；③将反应釜放入烘箱中，在110℃～200℃的温度范围内保温2小时～48小时，冷却至室温，以漏斗抽滤，经去离子水洗涤后，得到淡黄色的一维单晶α-Bi2O3纳米材料。 | ||
| 地址 | 201800 上海市800-211邮政信箱 | ||